AI 基础设施投资浪潮正将全球存储芯片市场推向前所未有的供应危机边缘。

韩国 KB 证券 9 月 7 日发布研报称，三星电子与 SK 海力士当前存储芯片库存已降至不足 10 天，明年 DRAM 与 NAND 的比特需求将超出供应 10 个百分点以上，届时可供实际销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性。KB 证券研究本部长 Kim Dong-won 将上述局面定性为 " 历史性短缺 "。

该机构同时指出，三星电子与 SK 海力士股价近三个月较高点下跌 38%，明年业绩对应市盈率仅约 3 倍，处于 " 极度低估 " 状态，并将两家公司列为半导体板块首选标的，预计强力重估行情即将启动。

AI 投资激增，存储芯片需求急剧扩张

KB 证券指出，超大规模云服务商明年 AI 基础设施投资规模正被大幅上调，较今年增长约 60%，预计达 1.3 万亿美元。

Kim Dong-won 表示，这一趋势的根本驱动力在于 AI 已开始作为云端 AI 服务、Token 计费、Agentic AI 及模型托管等直接新增收入来源加速落地，AI 盈利模式正进入具体化阶段。

在 AI 基础设施投资中，存储芯片所占比重正快速攀升。

KB 证券预计，该比重将从 2024 年的 14% 升至 2025 年的 40%，并进一步跃升至 2026 年的 57%，两年间扩大约 4 倍。

全球半导体研究机构集邦科技（TrendForce）的预测更为激进，预计 2026 年这一比重将达 68%，两年内增长近 5 倍。Kim Dong-won 将这一趋势归因于 HBM4 内存容量提升、CPU 服务器 DRAM 需求增长以及推理用企业级 SSD 需求同步扩张三重因素叠加。

HBM4 产能扩张蚕食通用 DRAM 供给

KB 证券特别强调，第六代高带宽内存 HBM4 的产能扩张将对通用 DRAM 供应形成结构性挤压。

据该机构测算，生产一片 HBM4 晶圆所消耗的产能相当于三片通用 DRAM 晶圆，这意味着 HBM4 产量每提升一步，均以三倍比例压缩通用 DRAM 的可用晶圆投入量。

在晶圆总投入受限的前提下，这一结构性矛盾将直接制约可供市场销售的比特增量，成为明年供应短缺的核心成因之一。Kim Dong-won 预计，明年 DRAM 与 NAND 的比特需求将双双超出供应 10 个百分点以上，形成 " 史上最严峻的供应紧张局面 "。

库存告急，三星与 SK 海力士面临物量耗尽风险

KB 证券披露，截至今年第三季度，三星电子与 SK 海力士的存储芯片库存已降至不足 10 天，当前局面已超越单纯的需求复苏范畴，可供销售的实物库存本身正面临绝对性短缺。

Kim Dong-won 表示，明年实际可销售存储物量耗尽的可能性正在成为现实。

明年 AI 服务器将同步吸收 HBM、服务器 DDR5 及企业级 eSSD 需求，多品类需求共振进一步加剧供应压力。KB 证券认为，在上述背景下，存储芯片价格存在显著上行空间。

股价深度回调，KB 证券看好重估行情

尽管基本面前景趋于乐观，三星电子与 SK 海力士股价近三个月已较高点下跌 38%，明年业绩对应市盈率约为 3 倍。

KB 证券认为，这一估值水平与两家公司未来三年有望持续刷新历史最高业绩、并维持大规模股东回报政策的预期严重背离，构成 " 极度低估 "。

该机构将三星电子与 SK 海力士列为半导体板块首选标的，并预计两家公司将从当前极度低估状态启动强力重估行情。