钛媒体 App 9 月 8 日,荷兰光刻机制造商阿斯麦(ASML)连续发布三则公告,宣布与台积电、三星电子及英特尔晶圆代工(Intel Foundry)推进高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术应用。其中,台积电计划自 2030 年起将阿斯麦 High NA 用于先进制程大规模生产;三星计划于 2028 年前首次将 High NA 用于 DRAM 大规模生产。英特尔则表示,目前已处理超过 100 万片采用 High NA 相关技术的晶圆。(广角观察)

钛媒体 App 9 月 8 日,荷兰光刻机制造商阿斯麦(ASML)连续发布三则公告,宣布与台积电、三星电子及英特尔晶圆代工(Intel Foundry)推进高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术应用。其中,台积电计划自 2030 年起将阿斯麦 High NA 用于先进制程大规模生产;三星计划于 2028 年前首次将 High NA 用于 DRAM 大规模生产。英特尔则表示,目前已处理超过 100 万片采用 High NA 相关技术的晶圆。(广角观察)
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