钛媒体 App 9 月 8 日，英特尔晶圆代工（Intel Foundry）与阿斯麦（ASML）宣布，双方正持续推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术的量产应用。英特尔目前已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过 100 万片晶圆，高 NA EUV 已用于英特尔酷睿 Ultra 3 系列处理器 "Panther Lake" 部分层的量产。英特尔表示，采用高 NA EUV 的英特尔 18A 制程产品性能达到或超过使用传统 0.33 数值孔径 EUV 光刻平台的同类层。双方还将继续推动光罩从目前的 6 英寸向 6 × 12 英寸大尺寸光罩过渡，同时通过光罩拼接技术，让客户在现有 6 英寸光罩条件下获得高 NA EUV 的部分优势。（广角观察）