三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动 12 英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于 2028 年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于 DRAM 大规模生产。三星表示,12 英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本,并减少光罩拼接限制。高 NA EUV 则有望延长 DRAM 制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发 12 英寸光罩技术及配套基础设施。(界面)

三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动 12 英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于 2028 年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于 DRAM 大规模生产。三星表示,12 英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本,并减少光罩拼接限制。高 NA EUV 则有望延长 DRAM 制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发 12 英寸光罩技术及配套基础设施。(界面)
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