随着人工智能（AI）需求提升，三星的代工产线利用率不断爬升。其中 4nm 产线自去年末起，已经满负荷运转，而且很可能延续到 2027 年。一方面三星的 HBM4 开始量产，基础裸片（Base Die）采用了 4nm 工艺，加上选择相同制造技术的 Groq LPU 订单激增。为了减轻压力，三星甚至建议客户可以转用自家的 5nm 工艺，作为替代方案。

据 Wccftech 报道，由于 HBM4 的需求超过了供应，迫使三星不得不将更多的 4nm 产能分配过去。目前三星 4nm 产线正在全速运行，其中 50% 至 60% 产能用于生产 HBM4 的基础裸片。三星的 4nm 产线集中在韩国平泽工厂 2 号和 3 号园区，包括 S5 和 S6 两条生产线，月产能为 3 万片晶圆，这意味着 HBM4 占用了至少 1.5 万片晶圆。

今年 2 月，三星宣布开始量产 HBM4。其结合了 4nm 基础裸片，并搭配 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升，量产四个月后收入就已突破 10 亿美元。同时三星 HBM4 良品率已经从最初量产时的不到 60% 提升至接近 80%，提前实现了最初设定在 2026 年末达到 80% 的良品率目标。

过去 HBM 的基础裸片都是使用 DRAM 工艺制造，但是从 HBM4 时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。特别是定制 HBM 的到来，其中将集成内存控制器等功能模块。三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而 SK 海力士和美光则选择与台积电（TSMC）合作。

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