快科技 9 月 9 日消息，英特尔在先进芯片制造领域再获关键突破，其晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破 100 万片大关。

这一数字涵盖了设备认证、测试研发及部分产品层的量产环节，标志着该项下一代光刻技术正从实验室验证稳步迈向实际生产线。

据英特尔披露，其高数值孔径 EUV 晶圆处理总量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商之和，进一步巩固了其在新型光刻赛道上的先发优势。

高数值孔径 EUV 是传统 EUV 光刻的进阶版本，其物镜数值孔径从 0.33 提升至 0.55，可在晶圆上实现更精细的图形刻画，并有望简化部分复杂的多重曝光工艺。

对于先进制程而言，这意味着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及芯片性能与能效的潜在提升。不过，这类设备的成本与工艺控制要求也显著更高。

目前，英特尔已在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径 EUV 光刻机，并将其用于部分 Intel 18A 制程的生产。

公司表示，采用该技术制造的 Panther Lake 处理器部分层，在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等关键指标上均达到预期。

需要指出的是，英特尔并未将整个 18A 制程全部切换至新设备，而是选择关键层进行试产，同时也在传统 0.33 数值孔径 EUV 设备上完成相同层次的加工，以便对两种技术路径的制造表现进行直接对比。

结果显示，采用高数值孔径 EUV 生产的 18A 层在性能上已持平甚至优于传统 EUV 平台对应的层级。

公司表示，客户目前仍可通过现有 6 英寸光掩模使用高数值孔径 EUV，既可在掩模限定范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）来满足更大面积的制造需求。

英特尔认为，未来 AI 产品对制造技术的要求将持续攀升，不仅需要更高的性能和密度，更依赖稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过率先将高数值孔径 EUV 推入生产环境，英特尔希望为客户提供更加成熟、可靠的先进制程选项。