据业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代， 三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略 预计将发生重大变化。 该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取 " 双轨制程 " 战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。 从今年开始量产 HBM4 开始，三星电子和 SK 海力士已开始采用代工工艺而非传统的 DRAM 工艺来制造基片。与 DRAM 工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。（新浪财经）