当地时间 9 月 8 日，全球光刻机龙头 ASML 在荷兰埃因霍温的 " 北智慧港工业园区 "（Brainport Industries Campus North，简称 BIC North）正式举行动土典礼，启动其在该区域的第二座大型工业园区建设。荷兰首相罗布 · 耶滕（Rob Jetten）与政府、客户、供应商及知识机构代表共同出席了仪式。

据介绍，这座占地约 35 万平方米的新园区，远期规划可容纳多达 2 万名员工，第一阶段工程预计于 2029 年完工，届时至少将有 3000 名员工入驻，整合生产、物流与办公功能。新园区将引入 ASML 为 TWINSCAN 工厂设计的下一代制造模式—— " 流动工厂 "（Flow Factory），旨在实现更快、更高效、更大规模的模块化生产与安装。

ASML 首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet）在声明中表示：" 全球半导体产业日益增长的需求，推动业者持续投资。BIC North 为我们提供了持续创新、支持全球客户所需的空间与灵活性。"

"AI 热潮还没走到尽头 "

在新的工业园区动土典礼之际，ASML 释放出的需求信号远比新厂房本身更令市场关注。

ASML 首席财务官 Roger Dassen 表示，AI 热潮已经 " 彻底改变了客户的情绪 "。他还透露，最近在与某大客户交流时，对方表示 " 你能多给我一些（设备）吗？能快点给我吗？"

这种被客户追单的紧迫感也体现在了 ASML 的订单数据上。Roger Dassen 在 7 月的财报电话会上透露，ASML 的 EUV 产能 " 接近全数被预订至 2027 年 "，同时 2028 年也已取得 " 大量 "EUV 设备订单。他称如此长周期的订单可见度 " 极为罕见 "。

傅恪礼最近在接受路透社采访时更是直言：" 我不认为 AI 热潮已经走到尽头。"

High NA EUV 设备：从 " 质疑定价 " 到 " 集体承诺 "

更令行业瞩目的是，曾被台积电等客户质疑 " 是否物有所值 " 的下一代 High NA EUV 设备，如今已获得几乎所有主要芯片制造商的坚定采购承诺。

High NA EUV 系统可光刻出比标准 EUV 系统小约 40% 的电路特征，但单台价格约 4 亿美元，是标准 EUV 系统（约 2 亿美元）的两倍。

最早采用 High NA EUV 系统的英特尔已公布了迄今最具体的量产数据。今年 7 月，英特尔代工与 ASML 此前联合宣布，其 High NA EUV 设备已累计处理超过 100 万片晶圆，覆盖测试、研发及量产阶段。这些设备已被用于 Intel 18A 制程 Panther Lake 处理器的选定层量产，ASML 称其叠加精度、吞吐量与可用性 " 达到英特尔代工的预期 "。

台积电此前曾对 High NA EUV 系统的性价比持保留态度，并强调 A16 制程仍将继续使用标准 EUV 系统。但如今，ASML 已承诺自 2030 年起在 A10 节点采用该技术进行大规模生产。

另据韩国媒体报道，三星和 SK 海力士均已将 2028 年设定为在 DRAM 生产中引入 High NA EUV 并实现量产应用的目标，这一时间表早于市场预期。美光虽已订购相关设备，但尚未公布投产时间。

傅恪礼在谈及存储厂商的积极态度时指出，由于存储芯片成品尺寸较小，采用 High NA 的门槛相对较低，" 你会看到这些厂商在很多事情上的规划都更具进取心，High NA 也在其中。所有厂商都在推进将 High NA 导入量产制造的计划。"

High NA EUV 已累计出货 13 台

在 "SEMICON Taiwan 2026" 先进制程科技论坛上，ASML 高级副总裁 Greet Storms 表示，截至 2026 年 7 月中旬，全球 High NA EUV 系统累计曝光晶圆数已突破 135 万片；获得认证的 ASML High NA EUV 系统 EXE:5200B 在验收测试中达到每小时 135 片晶圆的吞吐量，较上一代 EXE:5000 的每小时 100 片提升 35%。

在装机规模方面，全球已有 4 家客户完成装机的 10 台 High NA EUV 系统投入运作，另有 3 台系统正在出货与装机中。

High NA EUV 系统还展现了优异的稳定性。Greet Storms 指出，目前全球 High NA EUV 机台可用率（能够用于实际生产的时间占总日历时间的百分比）已提升至 84%，预计 2026 年底可达 90% 并朝 93% 目标改善。

美国银行分析师 Didier Scemama 在最新的分析报告中预测，今年 ASML High NA EUV 出货量为 5 台，明年为 6 台、2030 年将达 20 台。" 虽然这些订单并未改变我们的财务预测，但显著增强了市场对产业链围绕统一 High NA EUV 路线图协同推进的信心。"

巴克莱也评估称，ASML 的三大客户的承诺提供了更清晰的采用可见度，" 需求显然强劲 "。

占据 94% 的市场份额

摩根大通估计，ASML 在 2025 年占据了全球光刻机市场 94% 的份额。在 EUV 领域，ASML 没有商业竞争对手。日本尼康与佳能，以及正在崛起的中国竞争业者，主要生产 DUV 设备。

Morningstar 分析师哈维尔 · 科雷奥内罗（Javier Correonero）对路透社表示，外界担心这些业者即将追上 ASML 的光刻技术，其实是 " 错误信息 "。

为了应对人工智能热潮所带来的旺盛需求，ASML 正在将 EUV 设备的建造周期从约 22 周压缩至 15 至 16 周，同时计划在 2027 年将 Low-NA EUV 及浸没式 DUV 设备产能提升约 30%，并正在 " 研究 "2028 年再提升 30% 的可能性。

ASML 的 2026 年全年营收指引已上调至 430 亿至 450 亿欧元，较此前预期大幅提升。

转向 12 英寸光罩

目前行业标准的光罩尺寸为 6 英寸，High NA EUV 系统使用变形光学设计来解析更精细的电路特征，代价是单次曝光的面积只有传统 EUV 的大约一半。这意味着像英伟达、谷歌设计的约 800 平方毫米的大型 AI 芯片，在 High NA 设备上必须分两次曝光再 " 拼接 "（stitching），不仅拖慢吞吐量，还会在接缝处引入良率风险。

因此，在 9 月 7 日，在 SPIE BACUS 先进光刻技术研讨会开幕前夕，ASML 与台积电联合宣布发起一项行业合作计划，推动半导体行业沿用数十年的 6 英寸光罩标准向 12 英寸大尺寸光罩过渡，并组建 " 大尺寸光罩联盟 "（Large Size Mask Consortium）。

将光罩从 6 英寸扩大到 12 英寸后，High NA 设备可以单次曝光完整的芯片面积，消除拼接需求，提升良率并降低生产成本，从而释放出设备原本被限制的产能潜力。

根据 ASML 和台积电公布的路线图：2031 年前建立 12 英寸光罩的试产线，2033 年前实现量产就绪。在此期间，台积电计划从 2030 年起先使用现有的 6 英寸光罩导入 High NA EUV 技术。

ASML 首席技术官马尔科 · 彼得斯（Marco Pieters）将光罩从 6 英寸扩大到 12 英寸的转变称为 " 一个巨大的机遇 "。他表示，" 如果我们能作为一个行业把它做成，你会看到这些设备的生产效率将提升 40%。"