快科技 9 月 21 日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称 G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。

先看产品规格，有两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，均已进入规模量产阶段。

虽然还不是最新的 LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场选择，LPDDR5X 的需求量整体远高于 LPDDR6，后者现在主要是少数几款旗舰机在用。

再看长鑫公布的技术水平，依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。

这里主要关注几个关键指标就行了——半间距、四重曝光、深宽比、HKMG 等，其中最主要的特征就是这个半间距，它就像是大家常听到的 CPU 工艺 3nm、2nm 一样，是内存工艺断代的标准之一。

11.95nm 意味着在 11nm 到 12nm 之间，这个水平差不多是目前的 1c 工艺，大家都知道进入 20nm 节点之下，内存工艺也不提具体数字，都是 10nm 级，从 19nm 到目前的 12nm 差不多发展了五六代工艺，1c 是三星、SK 海力士、美光去年底到今年量产的主力。

所以长鑫的 G5 工艺已经迈入了 1c 水平，但他们还是比较谦虚地表示接近全球最顶尖的内存量产平台制程，没说超越，毕竟跟 12nm 更接近一些。

G5 是怎么做到的，这里面就是长鑫提到的几个其他指标了——四重曝光、HKMG、深宽比，要知道三星在 14nm 节点之后的内存工艺上转向 EUV 工艺了，国内显然没这个机会，但靠着 DUV 光刻机的四重曝光也做到了 12nm 以内，再配合 HKMG 材料、深宽比蚀刻机等做到了 G5 量产。

总之，G5 在技术上已经跨过了 1c 工艺的大门，不是摸到门槛那么简单，但考虑到每家内存公司的技术实现方式不同，长鑫还是稍微谦虚了一下说接近顶尖水平，而不是达到或者超越顶尖水平。

靠四重曝光技术做到 1c 水平的最大担忧是什么？是成本高，产能低，最终产品没有竞争力，但长鑫也公布了明确的数据—— G5 每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

这就意味着 G5 不仅比之前的 G4 产能提升了 50% 以上，成本还有显著优势，虽然这个不知道他们是怎么做到的，但官方敢这么说，必然是有底气的。

长鑫这个公告最有价值的地方就在这里了，三星、SK 海力士及美光不会担心长鑫的技术追赶，因为只要没有 EUV 光刻机，他们就会觉得能甩开国产内存数代差距（还包括 CPU、GPU、闪存等其他芯片），但是长鑫现在明确了四重曝光量产的芯片一样有成本及产能效率。

长鑫是目前所有内存芯片原厂中扩产最积极的，先不说是晶圆产能未来两三年会翻倍、三倍增长到 60-100 万晶圆 / 月，光是 G5 的产出效率提升 50% 就是极强的竞争力了。

一句话来说，长鑫的 G5 产能爆发之后，内存涨价的好日子就不会多了。