快科技 9 月 21 日消息，在合肥举行的 2026 世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 产品，并首次公开展示了已量产的 LPDDR6 内存。

G5 平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

作为参照，三星当前最先进的 DRAM 节点为 12 纳米级，长鑫 G5 的 11.95 纳米已媲美三星量产水平。 关键在于，这一突破是在不依赖 EUV 光刻机的条件下，使用 ArF 浸没式 DUV 实现的。

除线宽微缩外，G5 平台还通过变革工艺流程、采用新材料，将存储电容深宽比提升至 45:1，并开发了适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小至 6762 纳米。

存储密度因此实现跨越式提升。每片晶圆产出裸片数量较上一代平台提升至少 50%，在产品能效和成本控制上均具备显著优势。长鑫科技副总裁骆晓东表示，G5 平台工艺水平已可比肩行业顶尖量产节点。

同步展出的两款 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball 和 245Ball 封装，适配中高端智能手机与便携消费电子，目前已进入规模量产阶段。

大会上另一焦点是已量产的 LPDDR6。长鑫 LPDDR6 于 8 月 29 日官宣量产，最高传输速率达 12800Mbps，带宽较 LPDDR5X 提升 60%，功耗降低 20%，芯片最高容量 16GB。

LPDDR6 的首发搭载机型为小米 18 Fold 折叠旗舰手机，这是全球范围内 LPDDR6 产品首次在旗舰手机端落地商用，也标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产。

此外，搭载长鑫最高速率 10667Mbps LPDDR5X 的 " 豆包手机 " 努比亚 NaviX Ultra 也已开售，这是国产 10667Mbps 高速率 LPDDR5X 芯片首次量产应用。

需要指出的是，长鑫在公告中坦言，G5 平台作为全新平台，良率爬坡仍需一定周期，基于该平台的产品尚未形成规模销售，短期内不会对经营业绩产生重大影响。

但 G5 量产的战略意义已足够清晰：国产 DRAM 在最先进的量产工艺上，正从 " 追赶者 " 向 " 竞争者 " 转变。