今年 2 月，三星宣布开始量产 HBM4。其结合了 4nm 基础裸片（Base Die），并搭配 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升。经过了数年的努力，三星终于摆脱了 HBM3 和 HBM3E 时期困扰已久的性能及良品率问题。另外三星也在 HBM4E 发力，且进展顺利，今年 5 月已经向客户交付样品。

据 DigiTimes 报道，随着良品率的问题逐渐得到解决，三星的 HBM 策略也开始发生转变，正在从 " 技术追赶 " 转向 " 扩大出货 "。三星计划 2027 年将 HBM4 及 HBM4E 的出货量提高一倍甚至更多。为了配合扩产，三星打算提高明年关键材料玻璃载板的采购量，提高至今年的 2.5 倍，每月数量从 2 万片飙升至 5 万片。

玻璃载板作为临时支撑结构，附着于 HBM DRAM 晶圆底部，防止晶圆在研磨减薄和钻孔过程中发生弯曲或破裂。随着 DRAM 堆叠层数的增加，晶圆减薄与翘曲控制工艺的重要性日益凸显。值得注意的是，玻璃载板可以重复使用，而且不同的工艺及良品率也会影响实际消耗，所以最终的产能输出还要看三星具体使用情况而定。

据了解，这次三星扩大 HBM4 及 HBM4E 生产主要集中在 12 层及以上堆叠的产品上。业界预计以三星的投入量，HBM 生产规模将从今年的 18 万片增至明年的 25 万片，提升约 40%。其中 HBM4 在整个 HBM 里的比重将从今年的 40% 提高至 80%，而 HBM4E 产能也将逐渐爬坡。

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