快科技 9 月 22 日消息，刚过去的周末长鑫科技发布了一个重要新闻，宣布自研的第五代内存平台 G5 量产了，并且同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。

与以往不同的是，长鑫这次还非常自信、大方地公布了 G5 代内存的技术规格，托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。

这个技术参数我们之前做过科普了，那么问题来了——长鑫 G5 内存跟三星、SK 海力士、美光三巨头的最新产品相比如何呢？

网友 tphuang 发了一张 G5 与其他三家的 1b、1c 等工艺的对比，这两个命名是三星、SK 海力士在用，美光用的则是希腊字母的 α、β、，代数上是等价的，简单的关系可以看上图。

至于 G5 与其他三家厂商的工艺对比，这个图列的参数倒是很有趣——长鑫公布的很多参数，三大厂的参数没有，三大厂公布的很多参数，长鑫这边又没有，但还是能看个大概的。

这里面的核心指标是半间距，这是 DRAM 工艺断代的关键，长鑫做到了 11.95nm，这个数值卡在 11 到 12nm 之间，卡位可以说非常微妙了，因为 12nm 差不多会被认为是 1b 工艺，11.Xnm 则会进入最新的 1c 工艺。

但是跟美光的 1c/1 γ 工艺相比，这个 11.95nm 工艺又大了 0.9nm 左右，因此说 G5 比当前最先进的工艺落后半代甚至一代也没问题，长鑫自己的定位是接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

但是再看 cell size 这个指标，长鑫的 G5 大约是在 0.00086 到 0.00111um2 之间，下限也是接近 1c/1 γ，上限也要比 1b 工艺少个 10% 左右。

如果说指标上的差距是数字多少的问题，那 G5 与三星、美光和海力士的最根本区别在于这三家在 14nm 节点之后已经转向了 EUV 光刻工艺，美光用的最少也有 1 层 EUV 光刻，三星海力士是 4-6 层，普遍在 5 层，而长鑫 G5 只有 DUV 光刻工艺的选择。

长鑫这次也没瞒着，直接说了他们用四重曝光，也就是 SQDP 技术做到了 G5 内存技术的量产，其他技术还有 HKMG、45：1 深宽比刻蚀等。

DUV 四重曝光不论是在内存工艺还是逻辑工艺上，技术已经不是最大问题，CPU 工艺四重曝光上做到 3nm 都没问题，甚至有可能追到 2nm 级别，它的难点在于成本，曝光次数越多良率、产能就越低，生产出来的芯片就成本就高得很，没有竞争力。

然而内存市场现在给了长鑫用四重曝光量产 G5 内存最大的支持，那就是内存价格实在是太高了，毛利率随便就超过 80-90%，这样的高利润率下用四重曝光都没问题，这也是长鑫表态 G5 在产品能效、成本控制上均具备显著优势的基础。

三巨头这一波将内存价格拉到了史无前例的地步，自己当然赚了让所有半导体厂商都嫉妒的超额利润，但他们肯定想不到这给了中国内存厂商一个崛起的机会，以前欧美日韩都相信只要禁了 EUV 光刻机，中国厂商的芯片技术差距会落后到 10 年以上，不再有竞争力。

但他们没想到的是这一天会来得这么快，现在不能说长鑫一定能靠着 G5 内存改变市场格局，但只要内存价格这么持续下去，这几年内国内至少还有两三家可以量产内存的公司加入战场，过几年这个市场的杀价情况已经可想而知了。