快科技 9 月 22 日消息，据 DigiTimes 报道，随着良品率问题逐渐解决，三星电子的 HBM 策略正在发生转变，从 " 技术追赶 " 转向 " 扩大出货 "。

三星计划 2027 年将 HBM4 及 HBM4E 的出货量提高一倍甚至更多。为配合扩产，三星将关键材料玻璃载板的采购量提升至今年的 2.5 倍，每月数量从 2 万片飙升至 5 万片。

三星此次扩产主要集中在 12 层及以上堆叠的产品上。业界预计，三星 HBM 生产规模将从今年的每月 18 万片晶圆增至明年的 25 万片，提升约 40%。

产品结构也将发生根本性变化。HBM4 系列（含 HBM4 及 HBM4E）在整个 HBM 产品线中的比重将从今年的 40% 大幅提升至明年的 80%。HBM4E 产能也将逐步爬坡。

三星今年 2 月已开始量产 HBM4，采用 4nm 基础裸片搭配 1c nm 工艺 DRAM 芯片。5 月，三星向包括英伟达在内的客户交付了 12 层 HBM4E 样品。

产能建设方面，三星已在平泽 P4 晶圆厂建设大型 HBM4 用 1c nm DRAM 产线，月产能规划达 10 至 12 万片晶圆。加上现有约 6.5 万片 1c nm 月产能，HBM4 届时将占据三星 DRAM 总产能的约四分之一。

三星扩大 HBM 产能的背景是 AI 数据中心投资持续井喷。据 TrendForce 数据，2027 年 HBM 比特出货量预计年增 50% 至 60%，但仍不足以满足需求增长，HBM 议价权仍偏向供应商。

三星此次扩产的核心目标，正是争夺英伟达等 AI 芯片客户的 HBM4 订单。随着英伟达下一代 Rubin 平台对 HBM4 需求大幅增长，三星希望凭借产能优势从 SK 海力士手中抢下更多份额。

在竞争对手上，SK 海力士 HBM4 已于 2026 年第二季度量产出货，12 层产品正稳定量产，16 层产品已进入认证阶段。两家存储巨头的 HBM4 产能竞赛，正进入白热化阶段。