【三星电子修改下一代 DRAM"D0a" 路线图】《科创板日报》24 日讯，三星电子修改了其下一代 DRAM 开发战略。据报道，该公司最近将之前作为项目开发的 "B1b" 技术纳入其正式路线图，并将其命名为 "D0a"，这是首款 10 纳米以下（nm）的 DRAM。最初，三星电子的 D0a 工艺指的是垂直晶体管（VCT）DRAM。后来，VCT DRAM 被归类到单独的 "D0a-V" 工艺中。 三星电子更改 D0a 名称的原因是为了加速将最先进的封装技术引入通用 DRAM。B1b 指的是一种通过晶圆间（W2W）混合键合来提高内部集成密度的技术。