来源：环球市场播报

三星电子一位高管周二表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到 DRAM 芯片制造商晶圆总产能的近 30%，高于目前的约 20%。

三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 表示，HBM 与标准 DRAM 争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大 HBM 产量可能会限制标准 DRAM 的供应。

HBM 是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的存储芯片构成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场目前主要由韩国的 SK 海力士和三星电子以及美国的美光科技主导。