快科技 10 月 8 日消息，据报道，三星电子今日发布 2026 年第三季度初步业绩指引。数据显示，三星当季营业利润达 107.4 万亿韩元（约合人民币 5360 亿元），较上年同期的 12.17 万亿韩元飙升 782.5%，超越 LSEG 综合预估的 106.1 万亿韩元。

这是三星电子单季营业利润历史上首次突破 100 万亿韩元大关，同时也是连续第四个季度实现创纪录的营业利润，使其成为首家季度营业利润突破 100 万亿韩元的韩国公司。

此番业绩的核心驱动力集中于内存芯片业务。传统 DRAM 及 NAND 芯片供应偏紧、高带宽内存（HBM）需求强劲，共同推高存储芯片价格，令芯片部门盈利大幅扩张。

据 Douglas Research Advisory 分析师 Douglas Kim 估计，三星第三季度 HBM 出货量环比增长近 50%。

而 HBM4 已成为三星业绩增长的关键引擎。三星于 2026 年 2 月开始量产 HBM4，采用 1c DRAM 与 4 纳米逻辑基底芯片组合。

三星预计，第三季度 HBM4 营收将较上一季度增长三倍以上，并在下半年占 HBM 总营收的 60% 以上。

与营收增长相伴的，是 HBM4 价格的加速上涨。据花旗研报预计，HBM4 12hi 的每 GB 均价将从 2026 年约 2 美元攀升至 2027 年的 4 至 5 美元区间，同比涨幅达 100% 至 150%。

然而，存储芯片价格上涨也推高了三星自家智能手机和电子设备的生产成本，进一步挤压了这些业务部门的利润率。三星将于 10 月 29 日发布第三季度最终财报，届时将披露各业务部门的详细业绩数据。

市场对存储芯片后市仍持乐观态度。据 TrendForce 预测，第四季度通用 DRAM 价格将环比上涨 10% 至 15%，NAND 上涨 15% 至 20%。

Counterpoint Research 已将第三季度 DRAM 价格季增幅预测从此前的 5% 至 10% 上调至 10% 至 20%，理由是客户正在提前下单，供应商定价权明显增强。