格罗方德将成为美国首个为先进封装技术供应硅中介层的厂商。

编译 |  崔嫄伟

编辑 |  陈骏达

芯东西 10 月 9 日消息，昨天，全球晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）宣布与台积电达成多年期制造协议，在美国本土建立硅中介层生产基地，为台积电的 CoWoS 先进封装生态供货，协议规模约 20 亿美元（约合人民币 134 亿元）。

格罗方德将扩大纽约州马耳他工厂产能，为台积电提供制造服务，成为美国首个为先进封装技术供应硅中介层的厂商。该项目支持范围包括嵌入式深沟槽电容等组件，预计 2028 年上半年开始量产爬坡，协议初始期限五年，并为未来随客户需求扩产预留了框架。

CoWoS 是台积电的 2.5D 先进封装技术，核心做法是在芯片与封装基板之间垫入中介层，通过硅通孔（TSV）实现高密度互连，让逻辑芯片与高带宽内存（HBM）在单一封装内协同工作。

它解决的是 AI 芯片的 " 数据搬运 " 问题：单颗芯片算力再强，内存带宽跟不上也会被拖累，CoWoS 让多颗芯片和 HBM 紧密集成，缩短互连距离、提升带宽并降低功耗，是英伟达、AMD 等厂商 AI 加速器背后的关键支撑。

CoWoS 有三条技术路线：CoWoS-S 是当前 AI GPU 的主流方案，它使用一整块硅中介层，通过 TSV 连接上层芯片与基板，性能上限最高。硅中介层承载传输电子信号和电力所需的线路，使封装内的多颗芯片能够协同工作，但中介层面积越大良率越难控制、成本越高。

CoWoS-R 采用多层线路重布层（RDL）中介层，以聚合物和铜线布线，成本更低；CoWoS-L 则取两者之长，用 RDL 完成大面积布线，在高带宽需求的局部嵌入硅互连（LSI）小块，兼顾性能与封装尺寸。格罗方德此次供应的硅中介层，主要用于 CoWoS-S 这条路线。

▲图源期刊论文《人工智能芯片先进封装技术》（田文超等）

随着 AI 芯片尺寸增大、多颗芯片整合进同一封装，CoWoS 产能紧张已成为制约 AI 芯片交付的核心瓶颈，而台积电正以产能扩张与技术迭代的路线进行应对：产能方面，CoWoS 月产能从 2024 年底约 3.5 万片向 2026 年底13 万至 14 万片目标爬坡，2028 年底有望翻倍至约 26 万片。

技术方面，台积电的封装尺寸逐年扩大：5.5 倍光罩尺寸中介层已于 2026 年量产，2028 年其将推出整合 20 个 HBM 的 14 倍光罩尺寸版本，2029 年将进一步扩至 24 个 HBM。

格罗方德成立于 2009 年，总部位于纽约州马耳他，由阿联酋主权基金穆巴达拉与 AMD 合资成立，是全球领先的半导体晶圆代工厂，制造基地覆盖美国、欧洲和亚洲，包括美国纽约马耳他、美国佛蒙特州伯灵顿、德国德累斯顿及新加坡等工厂。该公司聚焦差异化工艺与特色技术，在射频、氮化镓（GaN）功率器件等领域，为从云端到终端的 AI 落地场景提供芯片产品。

在先进封装层面，格罗方德 65PKG 硅中介层平台在 2024 年已实现量产认证，技术就绪度达 TRL9 级，包含 TSV 技术，支持晶圆对晶圆和芯片对晶圆集成，使异构逻辑、存储与电源器件在 3D 架构中互连。

2026 年 5 月，该公司推出基于硅光子技术的 SCALE 共封装光学方案，面向 AI 数据中心，已演示 8 λ 和 16 λ 双向密集波分复用传输；6 月，其宣布 SLATE 晶圆对晶圆键合技术在 9SW 射频平台量产就绪。

格罗方德 CMOS 业务高级副总裁 Ed Kaste 称，先进封装对下一代 AI 系统的性能、能效和规模日益关键，格罗方德将依托其美国制造布局，为这一关键环节提供安全、可扩展的供应来源。

结语：先进封装供应链新增美国供应点

AI 产能瓶颈寻求缓解

AI 芯片产能的竞争正从前端制程延伸到封装环节。台积电 CoWoS 封装此前高度依赖亚洲产能，此次合作落地后，这一关键环节新增了美国本土供应来源，也反映出 AI 供应链本土化从晶圆制造向封装元件扩散的趋势。

对格罗方德而言，这笔订单将其业务延伸至先进封装材料领域，扩大了在 AI 产业链中的参与度。但格罗方德量产尚需等待至 2028 年，届时能否真正缓解先进封装产能紧张，还需取决于新增产能的爬坡速度以及整体供应链瓶颈的演变。

来源：GlobalFoundries