来源：环球市场播报

韩国 GF 证券分析师 Jeff Pu 认为，英伟达或将在 2028 年下半年采用 Foveros 封装技术。该消息仍需审慎看待：目前尚未公布任何相关合同或具体产品。

该推测与 DigiTimes 今年 1 月的一则早期爆料相呼应。当时报道提及，英伟达未来 Feynman 系列 GPU 的配套组件或采用英特尔 18A 或 14A 工艺，而 GPU 主体芯片的生产仍将交由台积电先进制程完成。

也就是说，英特尔将主要负责非核心 IP 模块，或是晶圆裸片制造完成后的后端工序。14A 工艺计划于 2028 年下半年大规模投产，这一时间节点与杰夫 · 蒲给出的时间线吻合。

AI 加速器的制造分为前端与后端工序：前端主要是在晶圆上制作电路；后端包含晶圆切割、互联，以及将各类裸片集成至封装外壳，最终产出可在数据中心使用的芯片。

英特尔仍在努力在最先进制程的代工领域追赶台积电。但在封装赛道，英特尔的 EMIB、EMIB-T 以及 Foveros 技术已经相对成熟。据称谷歌已对 EMIB-T 表达兴趣，计划用于其自研 AI 张量处理器 TPU。

EMIB 依托嵌入基板的硅桥，横向连接多个芯粒。EMIB-T 在该架构基础上增加 TSV（硅通孔），也就是穿透硅片的垂直互联通道，直接传输电源与信号。

Foveros 更进一步，将计算裸片或其他芯粒 ** 垂直堆叠 ** 在基底裸片之上。这种结构可以缩小封装横向面积、缩短互联线路，有望提升带宽并改善能效。

对英伟达而言，后端封装供应商多元化，能够降低对台积电封装产能的依赖——当前全球 AI 加速器需求旺盛，台积电封装产能高度紧张。

而对英特尔来说，如果拿下 Feynman 相关项目，更大意义在于完成 Foveros 技术的工业验证，而非在先进光刻赛道取得即时胜利。