快科技 10 月 12 日消息，据报道，随着 HBM4 价格上涨以及内存制造商竞相争夺有限的 DRAM 产能，三星电子有望在 2027 年超越 SK 海力士，成为全球最大的高带宽内存供应商。

这一预测来自瑞银最新报告。瑞银模型显示，三星 HBM 出货量市场份额将从 2025 年的 20% 升至今年的 31%，2027 年进一步升至 40%，届时将首次超过 SK 海力士的 39%，登顶全球第一。

Counterpoint Research 数据也印证了三星的追赶速度：三星 HBM 收入份额已从 2026 年第一季度的 21% 攀升至第二季度的 33%，同期 SK 海力士份额从 58% 降至 50%，两家差距从 37 个百分点缩小至 17 个百分点。

三星的底气来自 HBM4 的量产进展。三星于 2026 年 2 月在全球率先启动 HBM4 量产，采用 4nm 逻辑基底芯片与 1c nm 工艺 DRAM 组合，单引脚速率达 11.7Gbps，最高可提升至 13Gbps，超出 JEDEC 标准 8Gbps 约 46%。

此前量产初期良率不足 60%，目前已提升至 80% 左右，提前达到年底目标。

产能端同样在加速。三星计划 2027 年将 HBM4 及 HBM4E 产量较 2026 年翻一番，HBM 晶圆月进料量从今年 18 万片提升至 25 万片，增幅达 40%，HBM4 系列在 HBM 总出货量中的占比将提升至 80%。

不过，SK 海力士在 2026 年仍将保持领先。Counterpoint Research 预测，SK 海力士今年将占据 HBM4 市场约 54% 的份额，三星为 28%，美光为 18%。

SK 海力士已于 7 月 15 日启动面向英伟达的 12 层 HBM4 量产交付，是全球首款完成全部质量认证并投入量产的 HBM4 产品。

价格上仍然值得关注。TrendForce 集邦咨询已上修 2027 年 HBM 价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达 121%，高价 HBM4 占比提升与 HBM4E 于 2027 年下半年逐步放量是核心推手。

三星能否在 2027 年真正完成对 SK 海力士的超越，取决于 HBM4 良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。HBM4 的王座之争，正进入最关键的冲刺阶段。