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美芯晟推出80W无线充电发射芯片MTQ5820,支持Qi2.2
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此外,MTQ5820 符合 AEC-Q100 Grade 1 车规级可靠性要求,集成多路 MOSFET 驱动、电流检测及通信解调功能,可应用于智能手机、可穿戴设备、车载无线充电以及工业电子等领域。

美芯晟 MTQ5820 无线充电发射芯片

美芯晟 MTQ5820 是一款高集成度无线充电发射端控制芯片,支持 4~24V 宽输入电压范围,内置 ARM Cortex-M0 处理器,配备 16KB SRAM、32KB ROM 及 64KB MTP 存储器,可满足不同无线充电方案的控制与功能开发需求。

在无线充电协议方面,MTQ5820 支持 WPC Qi 2.2 标准中的 BPP、EPP 及 MPP 功率配置,并兼容多种私有协议。其最高 80W 的功率传输能力,可满足高功率无线充电系统的设计需求。

在功率控制方面,MTQ5820 内部集成三组 N-MOSFET 驱动器,提供六对 PWM 信号发生器,支持 FSK 调制及频率抖动功能,可配合外部功率 MOSFET 构建无线充电发射电路。

芯片还集成两路高侧电流检测电路和两路 Q 值检测电路,支持 16 通道 ASK 及 PSK 信号解调,兼容电压模式和电流模式,有助于实现发射端与接收端之间的通信及充电状态检测。

MTQ5820 还支持 USB PD、QC、FCP、SCP、AFC、UFCS 及 TRANSSION 等有线快充协议,可适配多种快充电源输入方案,提升无线充电设备对不同供电设备的兼容性。

外围功能方面,芯片内置 12 位 100kSPS SAR ADC、12 位 DAC、80MHz 振荡器及 PLL,并提供两路 UART、两路 I ² C 等通信接口。同时集成 3.3V 和 1.5V LDO,以及欠压锁定、过流保护等硬件功能,减少部分外部控制及辅助供电电路的需求。

针对车载应用,MTQ5820 满足 AEC-Q100 Grade 1 可靠性要求,HBM 静电防护等级达到 H2,CDM 静电防护等级达到 C3,可满足车载无线充电系统对器件可靠性的要求。

MTQ5820 可配合外置 MOSFET、谐振电容及无线充电线圈构建双线圈发射端方案,同时预留温度检测、风扇及状态指示等外围电路接口,为不同结构的无线充电产品提供设计空间。

MTQ5820 采用 QFN48L 封装,尺寸为 6mm × 6mm,适合对 PCB 面积和集成度有要求的无线充电设备。

充电头网总结

美芯晟 MTQ5820 将无线充电协议处理、功率驱动、通信解调及电流检测等功能集成于单颗芯片,支持 Qi 2.2 标准及最高 80W 功率传输,同时兼容多种有线快充协议,为高功率无线充电产品提供了较为完整的发射端控制方案。

这款芯片的优势不仅在于功率规格,还在于协议兼容性与外围电路集成度。对于无线充电器、车载无线充电模块等产品,开发者可以根据不同功率需求灵活配置外部功率级、线圈及散热系统,减少部分外围控制电路的设计工作。

尤其是在车载无线充电领域,MTQ5820 兼具 AEC-Q100 Grade 1 可靠性要求与 Qi 2.2 协议支持,能够覆盖消费电子与汽车电子两类应用需求。

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