【CNMO 科技消息】10 月 13 日，据媒体消息，格芯公布 FDX Fusion 全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线，目标是为机器人、汽车、工业自动化等物理 AI 设备提供低功耗、高集成度芯片。公司称，第一代 FDX Fusion 预计达到 7 纳米级数字性能，并计划在德国德累斯顿工厂于 2028 年开始制造。

格芯产品

CNMO 科技注意到，格芯所称的 7 纳米级数字性能指的是数字逻辑性能等级，并不代表其恢复了 2018 年暂停的 7 纳米 FinFET 制程，也不能直接等同于其他晶圆厂的 7 纳米工艺节点或晶体管密度。

FDX Fusion 延续格芯的 FD-SOI 路线。该技术在硅层下设置绝缘层，并支持背偏置调节，可根据工作负载在功耗与性能之间进行调整。格芯称，该技术有助于降低漏电、优化能效，并适合整合射频、模拟和数字电路。新平台还计划结合嵌入式非易失性存储器、存内计算和高密度逻辑。

格芯公布的指标包括射频器件的 ft/fmax 最高可达 0.5 太赫兹，以及相较第一代 FDX 工艺密度提升超过两倍。公司目前未公布足够的详细设计数据供外部独立验证。这里的 0.5 太赫兹为射频器件指标，并非芯片处理器的运行频率。

格芯将该工艺定位于物理 AI，即设备在本地感知环境、处理数据并及时作出反应的应用，包括边缘推理、传感器融合、机器人、自动化设备、汽车电子、自主系统和智能连接设备。其设计重点并非单纯追求最小晶体管，而是尝试在同一平台中整合感测、计算、无线通信、控制和存储，以降低系统复杂度、延迟和功耗。

格芯表示，已与部分客户开展早期评估，但尚未公布具体芯片产品或量产客户订单。按公司路线图，FDX Fusion 演示芯片预计于 2027 年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划在 2027 年年中提供，量产目标为 2028 年。

格芯同时说明，德累斯顿 FDX Fusion 项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准即将推进的 IPCEI 先进半导体技术项目，因此路线图仍存在政策审批条件。