《科创板日报》10 月 13 日讯 就在明日，为期三天的 2026 年韩国半导体展览会（SEDEX 2026）即将在韩国首尔拉开帷幕。

本次展览会主题为 " 迈入硅智能时代 "。作为韩国唯一覆盖全产业链的综合性半导体专业展，存储、代工、半导体材料及零部件领域的企业基本都会到场参展，共同探讨半导体技术作为人工智能核心资源的未来发展方向。

近日，韩国半导体产业协会（KSIA）宣布，会议将于 14 日至 16 日在首尔江南 COEX 会展中心举办。包括三星电子和 SK 海力士在内的 300 家公司将参展，共设立 888 个展位。与去年相比，参展公司增加了约 70 家，展位数量增加了约 230 个，创历史新高。

值得注意的是，三星电子、SK 海力士均将于此展出下一代存储方案。

其中，三星电子将展示适用于云计算、边缘计算和物理人工智能领域的下一代存储结构和产品。这些产品包括高带宽内存（HBM）、移动图像传感器、移动处理器、用于汽车的高可靠性半导体、半导体代工解决方案和 3D 存储结构。

SK 海力士预计将发布下一代内存技术，包括第七代 HBM（HBM4E）和高带宽闪存（HBF）。此外，该公司还将展示用于服务器、PC 和移动设备的 DRAM 和固态硬盘（SSD）实物产品。此外，公司研发事业部总裁安铉（Ahn Hyun）还将发表题为 " 探寻人工智能时代内存创新方向 " 的演讲。

在会议之外，上述存储两巨头同样积极推进下一代存储技术。

就在昨日，SK 海力士公布了自主研发的用于 SSD 的紧凑型处理器 ( H-TPU ) 的具体结构和性能，它将通用 CPU 处理的重复性任务分配给大约 100 个 H-TPU，从而降低了功耗和芯片面积。

公司表示：" 目前，SSD 控制器内部的通用 CPU 在功耗和面积方面都已达到极限。而 SK 海力士开发了 H-TPU，可以高效地处理常见的输入 / 输出（I/O）传输路径。" 其计划将 H-TPU 技术应用于包括下一代企业级固态硬盘（eSSD）控制器在内的各种 NAND 闪存产品线，还将应用于下一代 AI 存储架构 "Storage Next"。

几乎同一时间，三星电子被曝正在初步研发三种类型的 z-NAND 闪存，除了最近发布的 z-NAND-O 之外，还包括 z-NAND-T 和 z-NAND-I 。前者专为高吞吐量而设计，能最大限度地提高带宽；后者最大程度地提高了 IOPS，可以每秒完成更多的数据 I/O 操作。

眼下，存储技术演进与 AI 需求深度绑定。开源证券指出，数据规模持续增长与 AI 算力需求释放，推动存储由配套支撑环节升级为影响算力效率的关键基础设施。供需层面，AI 服务器与高容量内存需求扩张，HBM 迭代带动单芯片容量及晶圆投入提升，产能向高附加值产品集中。

该机构判断，叠加新增产能释放周期较长、云厂商通过长约锁定供应，存储价格与供应商议价能力获得支撑。AI 需求正成为存储产业重要增长引擎，技术升级与供给结构优化有望推动产业价值提升。