【CNMO 科技消息】10 月 13 日，三星电子宣布，公司于当地时间 12 日参加了在美国加州圣何塞开幕的 "OCP 全球峰会 2026"，公开了涵盖下一代高带宽存储器（HBM）、内存扩展技术和存储解决方案的人工智能（AI）基础设施创新战略。三星还与美国超威半导体公司（AMD）共同演示了下一代内存扩展技术，并展示了与英伟达等全球 AI 企业的合作成果，表明其正将技术合作范围从单纯的内存供应扩展至 AI 系统整体。

在此次 OCP 全球峰会上，三星电子公开了三个技术方向：一是包括 HBM5、定制 HBM 在内的高性能内存；二是基于计算快速链接（CXL）的内存扩展技术；三是利用下一代固态硬盘（SSD）的数据存储与管理技术。同时，三星与 AMD 共同演示了基于 CXL 的内存扩展解决方案，并展出了 Groq LPU 晶圆和英伟达 Groq 3 LPX 系统等，介绍了与全球 AI 企业的合作成果。

三星电子半导体（DS）部门内存业务部 AE 团队常务沈浩俊在当天发表演讲时强调：" 随着 AI 模型大型化，推理过程中需要处理的数据和 KV 缓存容量不断增加，要提高 AI 系统性能，不仅内存带宽，容量扩展和数据存储管理技术也变得至关重要。" 为此，他提出了速度、内存扩展性、数据持久性三大方向的技术战略。

三星

三星电子还表示，公司正超越个别内存产品的性能改善，为优化中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、内存、存储等 AI 系统整体，从开发初期就与全球客户及合作伙伴扩大共同设计和技术验证合作。在本次 OCP 活动上，三星与 AMD 共同演示了基于 CXL 的内存扩展解决方案，公开了为灵活扩展 AI 系统内存容量的技术合作成果。其目标是，在 AI 智能体扩散导致推理过程数据处理量和内存需求增加的背景下，利用 CXL 技术弥补现有系统的内存容量限制。尤其是，三星展示了基于 CXL 内存模块 DRAM（CMM-D）的内存池化技术，可高效利用多个系统的内存资源，灵活确保 AI 环境所需的内存容量。

三星电子表示：" 此次共同演示在真实系统环境中与全球计算平台企业验证技术，并扩大合作以改善 AI 基础设施性能，具有重要意义。" 此外，三星在本次活动中运营两个展区。在介绍高性能 AI 内存技术的 "Token 化解决方案 " 展区，展示了 HBM4E、HBM5、定制 HBM、LPDDR5X-PIM 等，以及 2 纳米环绕栅极（GAA）工艺晶圆、Groq LPU 晶圆和英伟达 Groq 3 LPX 系统。在 "KV 缓存解决方案 " 展区，则介绍了通过 CXL 内存、企业级 SSD 和 KV 缓存优化技术，高效存储和管理 AI 推理过程中产生的大规模数据的方案。

三星电子工厂

三星电子还加强与全球客户的共同设计和技术验证合作。公司通过 " 三星 MAX Lab" 在真实 AI 环境中验证下一代内存和存储技术，并从产品开发初期就反映客户需求。同时，以全球开放生态专责组织 GOST 为中心，参与开源软件开发和标准化活动，将合作范围从硬件扩展至软件优化。

三星电子今年在英伟达 GTC、Computex、FMS 等主要全球活动中接连公开了 HBM5 和 zHBM 等下一代内存技术，致力于强化 AI 半导体竞争力。据市场调查机构 Counterpoint Research 数据，三星电子今年第二和第四季度全球 DRAM 市场以营收为准占据 39% 份额，排名第一；同期 NAND 闪存市场也以 29.3% 份额保持第一。三星电子表示：" 将基于技术力和生产基础，加强 HBM、服务器用 DDR5、企业级 SSD 等高附加值 AI 内存市场攻略。"