财联社 10 月 13 日讯（编辑 周子意）三星电子于当地时间周一（10 月 12 日）在 2026 年 OCP 全球峰会上展示了下一代内存与存储技术，此举彰显了该公司在提升人工智能（AI）基础设施以及加强与全球科技企业合作方面的努力。

会上，这家韩国科技巨头与 AMD 共同演示了内存扩展解决方案，并展出了与 AI 芯片厂商 Groq 和英伟达相关的产品。

新战略覆盖三大领域

随着 AI 模型日益庞大、AI 代理承担的任务愈发复杂，市场对更大内存容量、更快的数据处理速度以及更高效的存储需求不断增长。为此，三星在会上展示了涵盖内存扩展、计算速度和数据存储三大领域的创新技术。

其中一大亮点是，三星与 AMD 联合展示的基于 Compute Express Link（CXL）的内存扩展解决方案。

据了解，CXL 技术可实现处理器与其他计算组件共享内存资源，使 AI 系统无需完全依赖单台服务器内部安装的内存，即可利用额外的内存容量。

该解决方案采用三星基于 CMM-D 的内存池化技术，使多个系统能够更灵活地共享内存，有助于在 AI 推理过程中应对不断增长的工作负载，即训练好的模型生成响应时的计算需求。

此外，三星还展示了其新一代高性能内存产品，包括定制化的高带宽内存（HBM）和 HBM5，以及存算一体技术，后者可在内存芯片内部执行特定计算，减少数据传输并提升能效。

公司展出了 2 纳米环绕栅极晶圆、Groq 语言处理单元晶圆、以及英伟达的 Groq 3 LPX 系统，凸显其在内存与先进芯片制造领域的综合能力。

在数据存储与管理方面，三星推出了企业级固态硬盘及专为优化 AI 推理中信息存储与检索而设计的技术，其中包括键值缓存优化技术，可帮助 AI 模型复用先前处理的信息，从而更高效地生成响应。

三星还强调，将其致力于与客户合作，对整个 AI 系统进行优化，而不仅仅局限于单个半导体产品的开发。其三星 MAX 实验室可让客户在商业化前，针对真实世界的人工智能工作负载测试内存与存储技术。

在此前之前，三星已在行业各大盛会上频繁进行的技术发布，包括今年 3 月的英伟达 GTC 大会、6 月的 COMPUTEX 展会以及 8 月的 " 未来存储与内存 " 会议。三星正将其产品组合从人工智能加速器的关键组件 HBM，拓展至系统内存、固态硬盘（SSD）和 NAND 闪存领域。

此外，三星也在深化与 AMD 的合作关系。

10 月 7 日，在 AMD 首席执行官苏姿丰访问韩国期间，双方探讨了在内存和代工领域的潜在合作。今年早些时候，两家公司已签署谅解备忘录，旨在加强下一代人工智能内存与计算技术方面的协作。