粤芯半导体技术股份有限公司（以下简称 " 粤芯半导体 "）于 10 月 13 日正式登陆创业板。作为广东省自主培养且率先进入量产的 12 英寸晶圆制造企业，粤芯半导体本次公开发行股票拟募集资金投向产能扩建与前沿技术研发。

在当前的市场语境下，粤芯半导体的上市具有产业标杆意义。作为创业板适用未盈利标准申报的少数企业之一，其背后折射出的是晶圆代工行业前期高投入、长周期的客观规律，以及监管层对硬科技企业 " 包容性 " 的实质落地。自 2017 年成立以来，粤芯半导体始终聚焦特色工艺晶圆代工赛道，为境内外芯片设计企业提供 12 英寸晶圆代工及配套工艺解决方案。从广州黄埔的一片空地起步，粤芯半导体实现了广东省 12 英寸晶圆制造从零到一的跨越，并逐步成长为粤港澳大湾区半导体产业链的核心枢纽与广州市 " 链主 " 企业。

坚守特色工艺阵地

以成熟制程突围模拟芯片赛道

相较于追求极致制程的数字芯片，模拟芯片主要处理声音、光线、电压等连续信号，核心竞争力在于低失真与高可靠性。这一特性决定了其更依赖特色工艺的创新与器件结构优化，主要采用成熟制程，且具备品类多、应用广、生命周期长等特征。基于行业属性，粤芯半导体将核心资源倾注于 180 纳米至 55 纳米的成熟制程特色工艺。  

为满足各类应用场景的市场需求，粤芯半导体围绕 " 感、传、算、存、控、显 " 功能的模拟和数模混合芯片，逐步实现多品类技术布局。粤芯半导体在集成电路制造领域打造了混合信号（MS）、高压显示驱动（HV）、CMOS 图像传感器（CIS）、嵌入式非易失存储器（eNVM）、BCD 以及硅光（SiPho）等工艺技术平台。在功率器件代工领域，粤芯半导体建立了金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）两大工艺技术平台。

在具体的技术节点上，MS 工艺技术平台覆盖 180 纳米至 55 纳米，主要代工产品包括电容与超声波指纹识别芯片、电源管理芯片及 LED 显示驱动芯片等。HV 工艺技术平台同样覆盖 180 纳米至 55 纳米，构建了涵盖大、中、小全屏幕尺寸的 LCD 显示驱动芯片工艺。CIS 平台则覆盖 153 纳米至 55 纳米，集成了高性价比的 Pixel 工艺方案，量产前照式及背照式（前段工艺）CMOS 图像传感器。

以 BCD 工艺平台为例，粤芯半导体通过技术迭代，使工艺节点覆盖 180 纳米至 90 纳米，具备 5V 至 120V 的宽电压范围支持能力。该平台为客户提供多样的器件类型及工艺选择，通过底层器件结构设计减小核心器件物理尺寸，降低导通电阻，提升产品的整体性能。粤芯半导体在原有架构基础上开发了支持单相电流 40A 及以上的低压大电流 BCD 工艺等平台，在模拟芯片代工市场中构筑了相应的技术壁垒。

在商业应用层面，粤芯半导体的工艺平台已覆盖消费电子、工业控制、汽车电子等终端市场。在消费电子领域，粤芯半导体凭借混合信号工艺平台，跻身全球出货量领先的电容指纹识别芯片晶圆代工厂行列，是国内少数具备硅基 CMOS 超声波指纹识别芯片大规模量产能力的代工厂之一。在汽车电子和工业自动化领域，其微控制器工艺平台、IGBT 及 MOSFET 功率器件平台生产的产品，正逐步通过下游企业验证并实现量产出货。

产能释放叠加优质客群

构建稳健业绩增长飞轮

晶圆代工是一个典型的重资产、高资金门槛行业，产能规模的快速扩充与产线良率的稳步爬坡是决定制造企业能否在行业长跑中胜出的关键。报告期内，粤芯半导体展现出了极为强劲的产能建设执行力与业务扩张力。2023 年— 2025 年，粤芯半导体的营业收入分别为 10.44 亿元、16.81 亿元和 25.82 亿元，三年复合增长率达 57.3%。这一逆势高速增长的亮眼数据背后，是其产能利用率跨越式攀升的底层支撑——粤芯半导体产能利用率从 2023 年的 55.23% 提升至 2024 年的 84.79%，并在 2025 年达到 96.38%，当年产销率录得 99.47%。

图片来源：粤芯半导体招股书

目前，粤芯半导体已建成投产第一工厂和第二工厂两座 12 英寸晶圆厂，规划合计月产能 8 万片，截至 2025 年末实际实现产能 6.33 万片 / 月。为抢占市场份额，粤芯半导体启动建设一条规划产能为 4 万片 / 月的 12 英寸集成电路数模混合特色工艺生产线（第三工厂项目）。项目建成后，粤芯半导体合计晶圆加工产能将达到 12 万片 / 月。产能扩张有助于提升生产运营效率及规模经济效应，为国内半导体设备、材料、EDA 工具及 IP 领域的验证提供产业落地空间。

在利润端，2023 年— 2025 年，粤芯半导体归母净利润分别为 -19.17 亿元、-22.53 亿元和 -23.46 亿元。对于熟悉半导体高端制造产业规律的市场观察者而言，这一财务结果符合行业共识。12 英寸晶圆厂的建设需要庞大的前置资本开支，报告期内，粤芯半导体仅机器设备的折旧费用分别达 15.19 亿元、17.02 亿元和 23.02 亿元，高昂的固定资产折旧在会计层面对当期利润构成了较大的短期压力。与此同时，为了在激烈的技术竞逐中保持工艺的领先性，公司维持着高强度的研发投入，期内的研发费用分别达 6.05 亿元、4.46 亿元和 4.22 亿元。这种战略性、有规划的亏损是任何一家新兴晶圆代工企业跨越技术与规模双重壁垒的必经阶段。

据粤芯半导体的测算与前瞻性财务预期，随着高附加值工艺产品的持续导入以及庞大产能规模效应的进一步释放，粤芯半导体预计最早可于 2029 年实现合并报表层面的扭亏为盈。

业绩表现需要长期的客户关系作为支撑。模拟芯片技术认证流程严格，终端厂商选定晶圆代工厂后通常不会轻易更换，产业链上下游业务黏性较强。粤芯半导体累计开发境内外客户超过 200 家，覆盖近 40 家半导体细分领域上市公司，包括全球头部的指纹识别芯片、电子标签芯片及 MCU 芯片设计企业等。报告期内，粤芯半导体前五大客户的主营业务收入占比分别为 53.90%、60.34% 和 62.68%。客群结构反映了相关设计企业对粤芯半导体代工能力的认可，同时也对其后续的扩产进度与供应链服务提出了具体要求。

前瞻布局光电融合

抢占人工智能算力底层先机

在深耕成熟制程模拟芯片代工的同时，粤芯半导体也在硅光及光电融合前沿领域进行了布局。人工智能大模型时代对云端数据中心的网络连接及传输带宽提出了更高要求。光互联技术凭借高传输带宽、低功耗、低时延等优势，正在成为智算中心运转的底层支撑。

硅光技术融合了 CMOS 工艺的量产制造优势与光子技术的数据传输优势，核心发展方向为 " 光电融合 "。针对这一产业趋势，粤芯半导体切入硅光工艺赛道，于 2024 年底推出了自主研发的 12 英寸 90 纳米硅光工艺技术平台。该平台集成了低损耗的硅 / 氮化硅波导、高通信带宽的热 / 电调制器、面耦合器 / 端侧耦合器，以及高速锗光电探测器等核心光元器件。  

据弗若斯特沙利文数据，截至 2026 年 4 月末，粤芯半导体是国内少数具备 12 英寸硅光晶圆大规模量产能力的企业。目前，该平台的硅光代工产品涵盖了 400G、800G 及 1.6T 高速可插拔硅光光模块的商用场景，累计投片量突破 7000 片。这一进度填补了国内晶圆代工产业在硅光特定领域的产能空白，为提升国内下一代光通信底层制造能力提供了基础。

在现有的技术演进路线上，粤芯半导体正在开展近封装光学（NPO）核心工艺制造技术的预研，配合客户导入 3.2T NPO 产品线。基于 90 纳米量产平台基础，粤芯半导体计划开展 65 纳米硅光及光电融合底层工艺的研发与量产，致力于在制造端实现技术路径从可插拔光模块形态向近封装光学及光电共封装（CPO）架构的演进。

通过与国内相关科研院所共建 " 光电子与光子芯片研发中试平台 "，以及与光芯片设计企业的代工合作，粤芯半导体正逐步构建涵盖终端应用、芯片设计、晶圆制造及先进封装的硅光产业生态。这为粤芯半导体在光电融合技术领域的长期发展奠定了产业链协同基础。

（文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。）

编辑 | 蒙锦涛

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