快科技 10 月 14 日消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片 " 泰山一号（MountTai 2026）" 流片。

" 泰山一号 " 是 MemSilicon 将 1TnR 高密度、大容量新型存储芯片技术从早期研究推向 Gb 级芯片产品化的里程碑。

该技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积内的存储容量，并利用与 CMOS 平台完全兼容的后道集成方式，实现密度、容量和成本兼得。

该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达到 30Mb/mm ²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供具有国际竞争力的解决方案。

目前，" 泰山一号 " 已完成流片，正在推进验证。

作为国际首倡兼容 CMOS 标准工艺 1TnR 技术路线的引领者，MemSilicon 的技术积累源自中国科学院刘明院士团队。早在 2020 年，科研团队已公开 28nm 1T2R RRAM 研究。" 泰山一号 " 采用 1T4R 结构，即一个选择晶体管对应四个阻变存储单元。

但共享晶体管并不意味着存储单元数量的密度和性能等比例增加。多个存储单元之间的非目标电流路径、读写干扰，以及不同工作条件下的可靠性，都需要通过器件、工艺和电路设计的共同优化。

围绕 1TnR 结构大容量 RRAM 芯片的核心技术挑战，本次推出的 " 泰山一号 " 芯片在电路与架构层面首次提出并验证系列自主创新技术：引入负压设计与统一复位电路方法，显著抑制阵列漏电流，降低芯片功耗并提升可靠性；设计多电压域字线驱动电路，实现高、低压读写路径的彻底解耦，并提出自适应保护偏置电压技术，有效降低误写风险，全面提升写入可靠性。

开发片上自适应跟随读取电路，攻克 1TnR 在 Gb 级大容量下面临的读可靠性与读良率难题，配合硬件纠错电路，构建 " 电路自适应＋硬件纠错 " 的双重读保障机制。

以 28nm 后道兼容工艺为基础，" 泰山一号 " 兼具高性能、高密度、高可靠与低功耗的综合优势，标志着公司在大容量片上 RRAM 芯片关键电路技术上取得系统性突破，具备良好的产业化前景与广阔的应用空间。