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三星电子确认正在开发4F DRAM存储技术 紧随长鑫之后
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【CNMO 科技消息】中国最大半导体企业长鑫存储(CXMT)预告将推出次世代服务器用 DRAM 之后,三星电子方面也表态,公司正在开发同一项技术。

DRAM

10 月 14 日,在首尔江南区 COEX 举行的 " 第 28 届半导体展(SEDEX 2026)" 现场,三星电子最高技术负责人(CTO)、社长宋在赫被记者问及 " 三星电子是否也在开发 4F ² 技术 ",他回答 " 是的 "。当被追问开发进展如何时,他只说 " 正在努力做 ",并未展开说明。

4F ² 是长鑫存储此前宣布将应用于服务器用 DRAM 的次世代技术,其关键在于让同样的空间能装入更多数据。由于这被视为存储半导体在容量密度上的一次重要突破,长鑫存储的发布也引发了关注。

这种关注在资本市场上迅速有了反应。在长鑫存储公布消息后,外界出现了一些担忧,认为中国的存储半导体技术可能正在追赶韩国。受此影响,前一日三星电子与 SK 海力士的股价分别下跌 7.4% 和 10.1%。在这种背景下,三星电子 CTO 在展会上的回应,也成为外界观察两家公司技术进度的一个信号。

值得注意的是,三星电子在本次展会上以 "AI 系统设计 " 为主题,设置了六个展示空间,分别涵盖次世代技术、云端 AI、边缘 AI、Physical AI、半导体集群以及共生合作。这一主题设置也体现出公司当下把技术展示的重心放在与 AI 相关的系统级能力上。

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