【CNMO 科技消息】在 10 月 14 日于首尔江南区 COEX 开幕的 " 第 28 届半导体展（SEDEX 2026）" 上，三星电子与 SK 海力士同日展示了各自的次世代内存堆叠技术。两家公司的思路相当一致：把半导体垂直堆起来，缩短运算装置与内存之间的数据移动距离，从而同时提升处理速度和能效。

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三星电子此次参展，展示的是涵盖内存、逻辑、设计、代工以及先进封装的 AI 半导体解决方案。其中最受关注的是 3D 内存架构 "zHBM"，其做法是在 AI 加速器之上垂直堆叠高带宽内存（HBM）。三星还展示了 3D NAND 解决方案 "zNAND-O"，这一技术面向设备端运行 AI 的边缘场景，重点在于高效利用空间并提升数据加载速度。此外，展台上还出现了第七代 HBM 产品 HBM4E，以及在内存内部集成运算功能的 LPDDR-PIM ——这项低功耗 DRAM 技术的思路，是让部分运算直接在内存中完成，从而减轻数据搬运到外部运算装置的负担。

除了技术路线，三星也介绍了产能布局的规划。公司在今年新设的 " 半导体集群区 " 中，讲解了主要生产与研发据点的角色，并公开了龙仁国家产业园区的建设计划——该项目投资约 360 万亿韩元（约合 2.05 万亿元人民币），计划 2027 年开始用地整理和动工，目标是在 2029 年 10 月让首条生产线投产。另据现场消息，在中国长鑫存储（CXMT）预告推出次世代服务器用 DRAM 的背景下，三星电子最高技术负责人宋在赫社长在被问及公司是否也在开发 4F ² 技术时回答 " 是的 "，但对开发进展仅以 " 正在努力做 " 作答，没有透露更多细节。

SK 海力士给出的次世代方案，则集中在高带宽闪存（HBF）和 3D 堆叠 DRAM 两个方向。HBF 是基于 NAND 闪存的次世代技术，能够高效存储大容量数据，因此被视为介于 HBM 与固态硬盘（SSD）之间的新内存层级。3D 堆叠 DRAM 则是把 DRAM 直接放到 GPU 等处理器之上，并用硅通孔（TSV）连接，以缩短数据移动距离。

在当天的主旨演讲中，SK 海力士开发总管社长安贤对内存面临的瓶颈作出判断。他表示，随着 AI 承担的任务越来越复杂、单次参考的上下文和处理请求量不断增加，AI 基础设施的性能规模到 2030 年将扩大到今年的约 20 倍。尤其是 AI 复用此前处理信息的中间数据 "KV 缓存 " 持续增长，使得数据需要在多种内存之间拆分、存储和搬运，这一过程正成为新的瓶颈。在他看来，若把处理器与内存直接连接的次世代技术，与能实现带宽提升、功耗降低和热处理的先进封装结合起来，就有望成长为新的 AI 解决方案。