【CNMO 科技消息】10 月 18 日，据《首尔经济日报》报道，三星电子已接受英伟达的要求，决定采用台积电 3 纳米（N3P）制程为其下一代定制 HBM —— NV-HBM 生产基底裸片（Base Die）。这标志着三星首次在 HBM 制造阶段与台积电展开合作，也意味着其沿用多年的 " 交钥匙 " 模式在英伟达的标准化要求面前出现关键松动。

三星

此前，三星对 HBM 采取 " 交钥匙 " 策略，核心 DRAM 芯片与基底裸片均在其内部产线完成。三星今年率先量产的 HBM4，其基底裸片采用的正是自家 SF4（4nm）逻辑制程；规划中的 HBM4E 同样基于 SF4，未来 HBM5 则计划升级至 SF2（2nm）。

但英伟达的要求改变了这一路径。报道援引业界消息称，英伟达已要求三星、SK 海力士及美光三家 HBM 供应商，统一采用台积电 3nm 工艺制造 NV-HBM 的基底裸片，同时核心 DRAM 芯片需基于第六代 DRAM（1c）工艺。三星在内部评估后接受了这一要求，但明确表示标准 HBM 及面向其他客户的定制产品仍将维持自主生产模式。

台积电

三星选择妥协，除了英伟达的客户话语权之外，也有自身产能的硬约束。三星 SF4（4nm）产线目前月产能约 3 万片晶圆，其中 50% 至 60% 已分配给 HBM4 基底裸片，折合约 1.5 万片 / 月。这些产能需要优先满足三星自身 HBM4/HBM4E 的量产需求。在 SF4 已经满负荷运转的情况下，再为英伟达 NV-HBM 腾出额外逻辑产能并不现实。

不过，三星并未完全关上自主制造 NV-HBM 基底裸片的大门。报道称，三星仍在评估若台积电产能不足以覆盖 NV-HBM 需求时，由自家代工厂承接部分生产的可能性。这为后续合作保留了弹性。