据报道，三星电子将采用台积电的 3 纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在 HBM 制造阶段展开合作。

消息人士称，英伟达已要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电的工艺制造 NVHBM 基础芯片，并采用第六代 DRAM 技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准 HBM 和为其他客户定制的产品。

英伟达 8 月发布的 NVHBM 将英伟达的定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施。

标准化方案

三星在开发 HBM 核心芯片和基片时通常采用 " 交钥匙（Turn-key）" 模式，即 HBM 从设计到封装均由单一供应商闭环完成。无需客户分别协调存储厂、逻辑代工和封装厂。而 SK 海力士则选择专业分工模式，将 HBM4 的基片交给台积电代工。

最新消息意味着三星与台积电将联合开发 3 纳米制程的基片，最终目标是生产标准化产品，从而减少 NVHBM 的质量验证步骤。

英伟达此前表示，其自主研发的解决方案 NVHBM 可提供比标准 HBM4E 高出 30% 的内存带宽 ，同时功耗降低 15%。然而，为了实现这些优势，英伟达必须确保其内存供应商之间的标准化。

英伟达现在希望，其基础芯片仅采用台积电的 3nm 工艺，从而无需单独验证各厂商的样品，节省了宝贵的时间和资源，避免了不必要的负担。而核心芯片则统一使用 1c 工艺，即第六代 DRAM 工艺。

与此同时，由于 NVHBM 带来的巨大需求，三星并不介意与台积电临时合作。该公司同时也兼顾标准 HBM 和其他客户的定制芯片业务，并在探索作为 NVHBM 基片产能备份的可能性。