快科技 10 月 19 日消息，这一轮全球存储芯片价格持续暴涨，直接让韩系存储双雄三星和 SK 海力士赚得盆满钵满，最近几个季度的营收和利润数据都创下近年新高。

但随着中国本土存储厂商的技术和产能双线奋起直追，资本市场已经开始重新质疑三星和 SK 海力士未来的长期盈利前景，毕竟长鑫存储等国内厂商正在疯狂拉起新的产能，带来的行业格局冲击完全不可小觑。

更关键的是，长鑫科技不光在产能端快速扩张，技术迭代的步伐也在全力追赶，甚至在部分细分技术路线上已经实现了对韩系厂商的反超。

比如长鑫存储在 10 月 9 日至 10 日于上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，由总裁曹堪宇公开宣布，将于今年年底正式推出融合 4F ² 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

这款全新产品搭载长鑫自研的 VSG 垂直环绕栅极晶体管，通过垂直包围沟道的特殊结构强化栅极控制能力，从根源上解决了长期困扰行业的漏电问题，目前长鑫已经积累了超过 300 件 4F ² 相关的公开专利族，技术储备十分充足。

在长鑫官宣之后，三星电子也在同一场行业展会上对外确认，自家的 4F ² DRAM 技术开发已经全部完成，后续的量产时点正在按照下游核心客户的需求节奏做战略层面的协调安排。

长鑫率先落地量产节点的消息刚出来的时候，一度被市场解读为在 4F ² 架构的落地进度上领先三星大约两年时间，不过多位行业分析师对此都持谨慎态度，并不认可这种绝对领先的判断。

国际投资机构 Rosenblatt 发布报告称，现阶段就判定长鑫已经在下一代 DRAM 技术上取得决定性领先还为时过早，韩系厂商的技术积累优势依然存在。

美国银行相关研究报告也指出，美国此前出台的先进半导体制造设备出口限制政策，反而可能倒逼长鑫更多依靠单元结构层面的创新，不用过度依赖先进光刻工艺，就能顺利缩小芯片核心面积，走出完全不同的自主技术迭代路线。

不少存储行业分析师表示，长鑫在 4F ² 架构上的突破，相当于绕开了高端光刻设备的限制，找到了 DRAM 芯片降本增效的全新路径，后续随着产能持续释放，全球 DRAM 市场长期被韩系厂商垄断的格局，大概率会在未来两三年内被彻底打破，存储芯片的价格话语权也会逐步向国内厂商转移。