【CNMO 科技消息】据产业链消息，三星电子系统 LSI 事业部已决定采用 2 纳米工艺制造下一代外置 5G 调制解调器 M2800 系列。该产品计划于 2027 年完成开发，并用于 2028 年推出的 Galaxy S28 系列，届时将与 Exynos 2800 以双芯片形式搭载。

三星芯片

三星将外置调制解调器从 4 纳米转向 2 纳米后，可释放部分 4 纳米产能。相关产能将主要用于生产 HBM 底部的控制芯片。三星目前正调整晶圆代工业务的 4 纳米产能配置，将其更多用于 HBM 基础裸片制造。

用于 Galaxy S27 系列的 M2700 仍采用 4 纳米工艺，并将与 Exynos 2700 配套。三星已停止使用 Shannon 调制解调器品牌，后续产品改用 M 系列命名。此前的 Shannon 5410 对外也曾被称为 Exynos 调制解调器 5410。

消息称，M2700 已通过三星移动体验事业部内部测试，测试反馈较上一代有所改善。该芯片通过调整设计与软件，提高电源效率和数据传输速度，同时采用光学缩微技术，在工艺不变的情况下将芯片面积缩小约 4%。其支持的 3GPP 标准由第 17 版升级至第 18 版，非地面网络卫星通信功能也得到改进。

今年 Galaxy S26 的外置调制解调器 5410 同样采用 4 纳米工艺。韩国市场的 Galaxy S26 标准版和 Plus 版搭载 Exynos 2600 与 5410 组合，美国市场则采用第五代骁龙 8 至尊版。产业链人士称，5410 在待机功耗和标准功耗测试中相对竞争产品处于劣势，M2700 经过电压调整等优化后，性能已达到或超过同类产品水平。