来源：环球市场播报

三星晶圆代工业务要把问世已超过 8 年的 8 纳米工艺再延续一代。外界解读认为，此举意在高效盘活现有成熟的深紫外（DUV）产线，避开单价昂贵的极紫外（EUV）光刻机。该工艺瞄准的是不需要像 2 纳米那样高昂成本的车载、机器人、边缘 AI 芯片。

据业内 20 日消息，三星晶圆代工将于年内推出 8 纳米第二代 8LPU+ 工艺平台。对比上一代 8LPU，性能提升 12%、功耗降低 15%、逻辑面积缩减约 8%。

三星 8 纳米工艺自 2017 年成功开发 8LPP 后正式商用，该工艺也是三星先进制程中、EUV 导入之前最后一代 DUV（氩氟浸式光刻）工艺。2018 年三星推出侧重性能与集成密度优化的 8LPU；本次新发布的 8LPU+，就是在 8LPU 基础上进一步改良的二代版本。

当前 5 纳米、4 纳米、2 纳米等前沿制程算力更强，但关键光刻层必须使用 EUV 光刻机。单台 EUV 光刻机造价高达数千亿韩元，推高晶圆成本；而且全球仅有 ASML 能够供货，设备供给受限。

与之相反，8 纳米工艺可以在已经完成折旧摊销的 DUV 设备产线上生产。经过长期积累，良率数据充分，成本可预判，并且已经拿到车用、工业芯片相关认证，面向整车厂与车载零部件供应商供货门槛更低。

8LPU+ 的核心目标产品预计为 AI 微控制器（MCU）以及汽车区域控制器（ZCU）。近期汽车行业普遍采用 ZCU 架构：把车辆划分为多个区域，每个区域单独配置控制器。采用这套架构后，车门、车身、动力总成等各个分区，都需要布置控制器，芯片需求随之增加。

车载、工业机器人所用 MCU 与 ZCU，需要在严苛环境下稳定工作。比起峰值算力，工作温度区间、长期持续供货能力、内置存储、单价才是更核心指标。

芯片小型化也是重点。边缘 AI 芯片即便缩小计算核心面积，负责对外连接的 I/O、断电后保留数据的嵌入式非易失性存储器（eNVM）仍然会占用大量面积。8LPU+ 平台在 8LPU FinFET 晶圆上集成 3.3V 平面型 I/O 器件，成功将 I/O 面积缩减约 10%。

该工艺还改善车辆熄火、机器人待机状态下的待机漏电流问题，搭载超低漏电 SRAM（ULL-SRAM）以及高阈值电压器件（cHVT）。断电保存储存数据的磁性存储 eMRAM 达到车载一级（AG1）规格；单元面积 0.017 μ m ²，存储密度约 20Mb/mm ²，同等面积下可容纳更多存储，有利于控制器芯片进一步缩小体积。

业内相关人士表示：" 三星晶圆代工生态内现有的 8 纳米老客户、想要获取车载认证的无晶圆厂芯片企业，都将是 8LPU+ 的潜在客户。海内外设计公司、ASIC 厂商已经有基于 8 纳米 eMRAM 流片边缘 AI 系统级芯片（SoC）的经验，导入门槛较低。"