快科技 10 月 24 日消息，据报道，在 EUV 光刻机受限的背景下，中国芯片制造商正将 DUV 多重曝光技术的潜力压榨到极限。最新拆解数据显示，中国厂商在不使用 EUV 的情况下，已经实现了 5nm 级工艺的量产，DUV 光刻机正在这场突围中扮演核心角色。

某厂商的第三代 7nm 级 N+3 工艺的实测指标令人侧目。在对一款中国芯片的拆解中，N+3 的最小金属间距仅为 32.5nm，比英特尔 18A 工艺在 Panther Lake 上使用的 36nm 间距还要紧凑约 10%。晶体管密度达到约 113.4 Mtr/mm ²，高于台积电 N6 工艺的 107.7 Mtr/mm ²。这是纯 DUV 光刻交出的成绩单，没有 EUV 参与。

实现这一密度的关键，是自对准四重曝光（SAQP）与设计工艺协同优化（DTCO）的深度结合。在最精细的金属层上，中国厂商用四次图案化替代了 EUV 的一次曝光，配合减少鳍数量、收紧单元间距等手段，把 DUV 的分辨率天花板向上顶了一大截。

成本层面同样有行业共识支撑。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 指出，业内普遍认为 193nm 浸没式 DUV 做三次曝光的成本，大约与 EUV 一次曝光持平。这意味着在特定节点上，DUV 多重曝光并非不计代价的蛮干，而是一条在设备受限下仍然具备经济可行性的工程路径。

国产 DUV 设备也在同步补位。据 The Information 报道，国产浸润式 DUV 曝光机已进入量产阶段，首批设备已交付，2026 年预计生产约 5 台，2027 年扩至约 20 台。设备自主与工艺突围正在形成合力，让 DUV 这条路线从权宜之计变成可持续的工程选择。