【CNMO 科技消息】10 月 26 日，CNMO 科技获悉，三星电子与 SK 海力士计划从明年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存 HBM4 8 层产品。

三星（左） SK 海力士（右）

据 CNMO 科技了解，两家公司目前主要量产 HBM4 12 层产品，新增 8 层供应计划与英伟达调整下一代 AI 加速器的内存配置及采购策略有关。HBM 通过硅通孔技术，将多颗 DRAM 芯片垂直堆叠并连接。12 层产品由 12 颗 DRAM 堆叠而成，8 层产品则采用 8 颗 DRAM。英伟达原先未规划采购 HBM4 8 层产品，相关讨论从今年第三季度开始加快。

按原计划，英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 将搭载第七代 HBM4E 12 层产品。不过，英伟达目前正重点评估同时采用 HBM4 8 层和 HBM4E 8 层的方案。调整原因涉及 HBM4 及 HBM4E 12 层堆叠结构可能带来的散热加剧、良率下降和供应稳定性问题。

知情人士称，英伟达可能根据采用 Rubin Ultra 的 NVL 机架级系统规模，混合配置 HBM4 8 层与 HBM4E 8 层产品。今年 HBM4 12 层仍将是主要供应规格，但从明年年中开始，8 层产品的占比预计将明显扩大。

三星电子与 SK 海力士正在为扩大明年 HBM4 8 层出货做准备，目前，两家公司已经完成英伟达对 HBM4 12 层产品的认证，但 8 层产品仍需单独接受认证。