快科技 10 月 27 日消息，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特 · 德博尔近日接受媒体采访时明确表态，评估 4F ² 技术超过 20 年后，美光认为它 " 不在路线图上 "，将继续押注 6F ² 架构与下一代 3D DRAM。

就在美光说 " 不 " 的前十余天，长鑫存储总裁曹堪宇宣布年底推出 4F ² 架构加 VSG 晶体管的服务器 DDR5 RDIMM。三星 DS 部门 CTO 宋在爀在 SEDEX 2026 上被问及是否开发 4F ² 时，回答 " 是的 "。

SK 海力士已在 2025 年 VLSI 上由 CTO 亲自发布 4F ² 垂直栅平台与 3D DRAM 路线图。三家集体落子，唯独美光选择跳过。

4F ² 之所以被主流阵营视为关键节点，是因为它被普遍认为是通往 3D DRAM 的 " 必经台阶 "。垂直沟道晶体管、存储阵列与外围电路分离、晶圆级混合键合，这几项 3D DRAM 的底座技术，恰恰要在 4F ² 阶段先打牢。

美光想跳过 4F ² 直扑 3D DRAM，本质是在赌一条更短的路径。但这条更短的路径能否走通尚无定论，资本市场已经先给出了反应。

美光的焦虑恰恰来自基本面与股价的撕裂。美光 2026 财年第四季度营收 542.3 亿美元，毛利率 87%，均创历史新高。但股价自 6 月 25 日 1213.56 美元高点持续回落，较高点回撤约 23%。

市场给出的理由中，中国厂商在服务器 DRAM 上的进展重新点燃了定价与竞争担忧。

更耐人寻味的是，美光在 EUV 上曾有过 " 先否定、后跟进 " 的记录。2020 年前后公开表示没有 EUV 计划，随后却向 ASML 支付预付款，最终成为三大原厂中最晚导入 EUV 的一家。

这一次对 4F ² 说 " 不 "，是技术判断的终局，还是又一次路径修正的前奏，时间会给出答案。