存储芯片市场供需格局正向头部厂商倾斜，涨价周期或比市场预期更长。

高盛于 10 月 27 日举办 TrendForce 存储行业专家网络研讨会。TrendForce 专家在会上表示，DRAM 供给将在整个 2027 年维持紧张态势，价格上涨周期有望延续至 2028 年上半年；HBM 混合均价预计 2027 年同比大涨 122% 至每 Gb 3.7 美元，驱动 HBM 行业收入增长逾 230%，突破 2000 亿美元。

产能扩张面临洁净室空间不足及设备交货期过长等结构性制约，TrendForce 判断 2028 年前难以实现有效供给增量，这一瓶颈为价格上行提供了持续支撑。与此同时，中国 HBM 供应商短期内竞争威胁有限，预计 2027 年合计市场份额不足 2%。

DRAM 涨价周期或延伸至 2028 年上半年

TrendForce 预计，服务器需求保持强劲、供给增量受限，将在未来数个季度持续推动 DRAM 均价上行，尽管消费端需求偏弱构成一定拖累。

长期协议（LTA）覆盖率达到 60% 至 70%，可能令 2027 年价格涨幅趋于温和。但 TrendForce 指出，超出协议锁定量的增量需求仍可通过谈判以更高价格成交，整体定价重心仍向上倾斜。综合各项因素，TrendForce 目前预计 DRAM 价格将持续上涨至 2028 年上半年。

TrendForce 预计，HBM 混合均价将于 2027 年同比上涨 122% 至每 GB 3.7 美元，推动 HBM 行业收入同比增长逾 230%，超过 2000 亿美元。

价格分化将较为明显。TrendForce 表示，HBM4 高端定价可能超过每 GB 5 美元，低端则接近每 GB 3 美元，供应商与客户之间的议价结果差异显著。8 层叠 HBM4 由于单位内存基础芯片成本更高，较 12 层叠产品每比特溢价预计在 5% 至 10% 之间；HBM4E 的定价则可能大幅高于 HBM4。

高盛在报告中表示，上述判断与其自身预测基本一致——该行目前估计主要供应商明年 HBM 均价同比涨幅为 100% 至 160%。

产能扩张受制于设备与厂房，供给瓶颈短期难解

尽管头部厂商资本开支计划积极，TrendForce 仍认为 2028 年前难以实现有效的 DRAM 产能增量，主要瓶颈在于洁净室空间不足及半导体设备交货期过长。

TrendForce 预计，每家韩国厂商 2027 年可新增 8 万至 10 万片每月晶圆产能（WPM）。但三星电子的新增产能预计将大部分用于 HBM，传统 DRAM 的比特增长主要依赖制程迁移推动。设备供应状况有望从 2027 年下半年起逐步改善，新晶圆厂对供给的实质性贡献预计要到 2028 年才会显现。TrendForce 同时指出，供应商也可能根据需求前景主动调控扩产节奏。

TrendForce 表示，Google 正成为 HBM 需求增长的重要驱动力。随着 TPU 在 Google 数据中心的部署比例持续提升，HBM3E 的比特需求明年有望获得支撑，意味着 HBM 需求将跨代分布，而非集中于 HBM4 及 HBM4E。

与此同时，由于 HBM4 定价溢价显著，TrendForce 预计 HBM4 将占 2027 年 HBM 行业收入的近 60%。

TrendForce 认为，尽管中国存储厂商持续加大产能与技术投入，其与领先供应商在技术能力和良率方面仍存在相当差距，短期内对全球 HBM 市场构成的竞争风险有限。

高盛重申对三星电子普通股及优先股的买入评级，12 个月目标价分别为 50 万韩元和 38 万韩元，估值基于 2026 至 2027 年预期 EV/EBITDA 的分类加总（SOTP）方法。

SK 海力士目标价为 350 万韩元，基于 2026 至 2027 年平均预期市盈率（P/E），对应 9.0 倍目标估值倍数，同样维持买入评级。