快科技 10 月 28 日消息，据报道，国产 DRAM 制造商长鑫存储已向国内多家 AI 芯片设计公司送出 HBM3E 样品，预计未来两个月内启动小批量生产。

HBM3E 是一种高带宽内存，通过垂直堆叠内存芯片制成，用于与 AI 处理器高速交换数据，是训练和运行大语言模型专用芯片的关键元器件。

今年 8 月就有报道称，阿里巴巴平头哥、寒武纪等多家国内芯片设计公司已在测试将长鑫 HBM3E 与自研处理器搭配使用，最早明年投入产品。

知情人士透露，长鑫 HBM3E 良率目前低于市场龙头 SK 海力士，良率偏低意味着成本随之上升，该人士同时透露，长鑫 HBM3E 的售价预计将高于海外竞争对手的同类产品。

另一位知情人士透露，长鑫已向客户送出两个版本，其中一款为标准设计，另一款是改良版针对良率做了优化。

市场格局方面，Counterpoint 数据显示，今年第二季度 SK 海力士占全球 HBM 营收份额 50%，三星 33%，美光 18%，这三家几乎包揽了全球 HBM 营收。

Counterpoint 同时指出，长鑫科技当季在全球 DRAM 市场的营收占比为 10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。