【CNMO 科技消息】10 月 29 日，三星电子在三季度业绩发布电话会议上给出存储业务的中期安排：DRAM 方面将依托技术领先优势扩大 HBM4（第六代）的销售，同时 HBM4E（第七代）计划于明年上半年启动量产。公司方面表示，HBM4E 将在明年下半年进入产量扩大阶段，也就是通常所说的产能爬坡。

三星 HBM4 芯片

这一时间表的背后，是三星电子对明年需求结构的判断。公司预计，明年手机、PC 等应用领域会出现一定程度的需求调整，但在 AI 生态持续扩张的基调下，主要超大规模云厂商仍将加大对数据中心的投入。三星电子在会议上提到，AI 前沿客户正在自建数据中心，这会推动 AI 数据中心基础设施的建设提速。换言之，消费电子端的短期波动，被 AI 算力侧的投资强度部分对冲。

基于这一判断，三星电子给出的应对方式是主动调整产品组合。公司称，将结合 DRAM 与 NAND 在各应用领域的需求变化以及客户提出的要求，持续推行具有前置性的产品组合策略。

需要说明的是，三星电子此次并未披露 HBM4E 的具体容量、堆叠层数、良率或客户名单，电话会议上的信息集中在时间表与需求判断两个层面。后续实际的量产进度与爬坡速度，仍要看明年的客户认证情况与产线准备程度。