快科技 10 月 30 日消息，湖南泰坦未来科技有限公司宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，导热率超过 280W/ ( mK ) ，在封装结构内作为导热基底使用，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。

据介绍，该产品由该公司团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。

在关键性能上，该衬底沉积速度达每小时 60 微米，明显高于国内外同行 10 至 20 微米的水平；最低电阻率可小于 1 毫欧 · 厘米，优于国外同行约 10 毫欧 · 厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，有助于提升芯片良率。

该产品目前已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计 2027 年后逐步规模化供货。

泰坦未来的技术依托中南大学粉末冶金研究院的科研积累，团队核心成员包含多名中南大学博士。在此之前，公司已完成 6 英寸、8 英寸多晶碳化硅衬底的国产化开发。

与市场上用于功率器件外延的单晶碳化硅衬底不同，该款多晶碳化硅衬底定位以热管理基底为主，同时也可作为晶体生长载板、半导体高温制程基座等耗材使用。