快科技 11 月 12 日消息，在 AI 需求狂飙、内存价格居高不下的当下，DRAM 涨价的 " 元凶 " 名单里又多了一个关键角色。

据报道，全球空白 EUV 掩膜龙头日本豪雅已向三星电子交底，2027 年产能存在上限，无法承接其内存扩产带来的增量需求。这意味着，先进 DRAM 的扩产计划将被迫踩下刹车。

空白 EUV 掩膜是 EUV 光刻掩膜版的基础基材，相当于先进光刻机刻画电路的 " 底片 "。豪雅在这一环节的市占率高达七成以上，是绝对的寡头。随着三星 DRAM 向 1c、1d 等更先进节点微缩，对掩膜的需求呈指数级增加。

数据更为直观。三星 DRAM 单片掩膜用量从 1b 工艺的 4 至 5 片，将飙升至 1d 工艺的约 10 片。

三星内部测算，未来三年其空白 EUV 掩膜用量将保持 25% 的年增幅，今年预计消耗 5500 张。但豪雅明确表示，其他芯片厂也在疯抢，实在无法单独给三星加量。

产能缺口短期内无解。豪雅虽已敲定在新加坡建新厂，但产能要到 2028 财年才能释放，根本救不了 2027 年的火。在 AI 服务器对内存需求极度饥渴的背景下，前端材料供给卡壳，将直接拖慢原厂先进产能的释放速度，进一步支撑 DRAM 价格维持高位。

为了保供，三星正急寻韩国本土厂商 S&S Tech 作为替代。但材料端切入供应链需要漫长的良率验证，远水难救近火。对于消费者而言，先进 DRAM 产能扩张受阻，意味着期待内存短期内降价，恐怕只能是一厢情愿了。