快科技 11 月 13 日消息，据报道，SK 海力士第六代高带宽内存 HBM4 的良率已突破 70% 大关。尽管 SK 海力士尚未正式公布官方数据，但业界普遍认为，这一进展标志着 HBM4 的量产爬坡已进入稳定阶段。

良率从 60% 提升至 70%，意味着在同等生产投入下，合格产品的产出量增加了约 16.7%。在 HBM 这类高难度堆叠封装产品中，良率的每一次爬升都直接关系到产能释放与成本控制。

SK 海力士 HBM4 的规格相当激进。它采用最高 24Gb DRAM 密度，支持 2048 个 I/O 通道，单堆叠带宽突破 2TB/s。16 层堆叠版本容量可达 48GB，功耗效率较 HBM3E 提升超 40%，耐热性改善 14% 以上。

同时，封装内部集成了超过 2 万个硅通孔和 1.6 万余个底部微凸点。

需要提醒的是，这场良率竞赛的对手同样在加速。三星 HBM4 良率据传已接近 80%，并于 2026 年 8 月提前达到其年底目标。美光则表示其 HBM4 产能爬坡速度是上代 HBM3 12 层产品的两倍，良率改善更快，产品将用于英伟达下一代 Vera Rubin 平台。

在 AI 算力对内存带宽极度饥渴的当下，HBM4 的良率爬坡速度，直接决定了 SK 海力士、三星与美光三巨头谁能率先锁定下一代 AI 加速器的订单。70% 的良率是一个关键节点，但从 70% 到 80% 乃至更高的竞争，才刚刚开始。