据外媒报道，三星已经准备在韩国平泽市的 P3 工厂开工建设 3nm 晶圆厂了，6、7 月份动工，并及时导入设备。

根据三星公布的消息，其 3nm 工艺采用的是更为先进的 GAA 环绕栅极晶体管技术，相比与台积电的 FinFET 晶体管技术会更为先进。

与 7nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 35%。

根据此前台积电消息，台积电将在今年下半年进行 3nm 工艺试产，预计明年将大规模商用。现在看来，两家的商用时间非常接近。