昨日，厦门士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目（一期）主厂房屋面最后一方混凝土浇筑成功。 （海沧区 供图）

昨日上午，在厦门士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目（一期）主厂房屋面，最后一方混凝土浇筑成功，标志着项目顺利实现全面封顶。作为省市重点项目，该项目由中建三局承建，建成后将进一步助推厦门第三代半导体产业加快发展，为厦门抢占未来产业赛道、加速发展新质生产力提供有力支撑。

" 接下来，项目将进入装修及机电安装阶段。" 中建三局（福建）投资建设有限公司总经理王召坤介绍，中建三局项目团队于去年 11 月进场施工，面对项目工期短、所有单体需同步施工、钢结构大型设备吊装要求高等难题，应用 BIM+ 智慧工地管理系统，构建起 " 立体穿插、多维协同 " 的施工体系，40 余名管理人员、1800 余名建筑工人坚守一线日夜奋战，仅用 22 天就完成主厂房首块顶板的浇筑、70 天完成钢结构首吊，105 天完成全面封顶。

" 项目高效快速推进，离不开厦门市委市政府、海沧区委区政府以及国家开发银行厦门市分行的大力支持。" 杭州士兰微电子股份有限公司董事会秘书、副总裁陈越介绍，该项目总投资 120 亿元，分两期建设。一期投资 70 亿元，预计今年四季度初步通线，明年一季度试生产，达产后有望实现年产能 42 万片 8 英寸 SiC 芯片。二期投产后年产能将提升至 72 万片，届时将成为全球规模领先的 8 英寸 SiC 功率器件产线。

当前，新能源汽车对 SiC 芯片需求激增，而国内产品仍依赖进口。该项目达产后，可满足国内 40% 以上的车规级 SiC 芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、AI 服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，并促进国内 8 英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。同时带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。

这已经是杭州士兰微电子股份有限公司在厦门这片投资沃土上耕耘的第 7 个年头。此前，士兰已在厦门成功建成一条 6 英寸 SiC 功率芯片生产线，目前载有士兰自主研发并生产的二代 SiC 芯片已成功应用于士兰自主生产的电动汽车主驱用功率模块，并在国内汽车大厂持续上量。如今，士兰微还完成了三代、四代 SiC 芯片的研发工作，新一代 SiC 功率模块也将于今年上量。

在业界看来，士兰集宏项目封顶不仅是士兰微 "IDM 模式 " 的又一里程碑，更是中国半导体产业自主化的重要突破，随着全球产业格局加速转型，SiC 芯片的战略价值日益凸显，士兰微的布局具有重大意义。