财联社 2 月 12 日讯（编辑 卞纯）周四，在存储芯片股的引领下，韩国股市再创历史新高。

韩国基准股指 KOSPI 指数周四高开高走，截至发稿涨幅已经扩大至 2.7%，触及 5499.79 点的历史高点。

其中，存储芯片巨头领涨。三星电子股价涨至记录高位，目前涨幅已扩大至近 6%；而 SK 海力士目前涨近 4%。

消息面上，韩国海关周三公布的数据显示，2 月前 10 天，韩国半导体出口额达到 67.3 亿美元，同比飙涨 137.6%。

同日，三星电子首席技术官 Song Jai-hyuk 表示，内存强劲需求料持续到 2027 年。他还重点强调，三星公司的 HBM4 芯片显示出 " 良好的 " 制造良率，客户对其性能表示非常满意。

市场普遍预期，三星电子将在下周农历新年假期后开始向英伟达发货 HBM4 产品。

而此前一天，有消息称，韩国 SK 集团会长崔泰源近期在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面。双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨。

今年以来，Kospi 指数已累计上涨近 30%，背后驱动因素包括 AI 驱动的半导体超级周期以及政策改革重塑市场信心等。

韩国存储芯片股追随了隔夜美股存储芯片板块的走势。周三，美股存储概念板块大涨，闪迪涨 10.65%，美光科技涨 9.94%，西部数据涨逾 2%，希捷科技涨近 3%。

上周，半导体行业研究机构 SemiAnalysis 发布报告预计，英伟达 Vera Rubin 首年量产将主要采用韩国公司的 HBM4，美光产品或被排除在外。

美光首席财务官 Mark Murphy 在周三举行的一场会议上澄清称，其 HBM4 已进入量产，整体进度好于此前预期，并开始供货给客户。

摩根士丹利周三将美光科技目标价从 350 美元上调至 450 美元，同时维持对该股的 " 增持 " 评级，并预计 2026 年每股收益将达 52 美元。

大摩将其更为乐观的展望归因于持续上涨的 DRAM 价格和供应短缺。该行指出，今年 DDR5 价格大幅上涨，现货价格较 1 月合约价格高出约 130%。该行预计，由于 2026 年供应增长仍将受到限制，主流 DRAM 价格将进一步上涨。

此外，德意志银行周二将美光的目标价从 300 美元上调至 500 美元，理由是存储板块供需动态有利。

德银分析师 Melissa Weathers 称，她预计动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面将持续至 2027 年乃至 2028 年——尤其是 AI 热潮推动了市场对高带宽内存（HBM）的需求激增。

Weathers 还指出，与传统 DRAM 相比，HBM 的 " 硅密集度 " 大约高出三倍，这意味着它需要更多用于切割芯片的晶圆。她表示，这种高密集度 " 正引发一场我们认为尚未被充分理解的供应冲击 "。

与此同时，Weathers 称，新的 DRAM 晶圆厂至少需要两年时间才能投产，而现有工厂目前的扩张能力有限，无法缓解需求压力。