亚洲半导体行业掀起新一轮资本开支浪潮。据 TrendForce 数据，中国台湾、韩国和日本等地区的主要半导体厂商 2026 年合计资本支出有望突破 1360 亿美元，较 2025 年增长约 25%，台积电、三星和 SK 海力士位居支出规模前列。

这一轮扩张的核心驱动力在于 AI 芯片及高带宽内存（HBM）的需求持续升温。台积电计划以高达 560 亿美元的历史性资本支出领跑行业，三星和 SK 海力士则将新增产能的绝大部分锁定在 HBM 方向，以抢占 AI 服务器内存的主导地位。

支出浪潮已从一线巨头蔓延至二线厂商。中国台湾特殊内存供应商华邦电子（Winbond Electronics）和南亚科技（Nanya Technology）相继宣布大幅上调年度资本预算，后者更创下历史新高，折射出市场对内存景气周期回暖的强烈预期。

对于投资者而言，这波密集的资本承诺意味着设备采购订单将持续放量，半导体设备与先进封装产业链有望持续受益。但与此同时，产能的集中释放也令外界对潜在供过于求风险保持关注。

台积电领涨，晶圆代工扩产加速

代工龙头台积电是本轮资本开支扩张的最大推手。

据《工商时报》及中央通讯社此前报道，台积电今年资本支出计划介于 520 亿至 560 亿美元之间，同比增幅达 27% 至 37%，创公司历史新高。其中 70% 至 80% 将用于先进制程，其余部分则投向特殊制程及先进封装领域。

这一预算规模远超行业均值，凸显台积电在 AI 逻辑芯片代工市场的主导地位，也反映出客户对先进制程产能的抢订已深度绑定台积电的扩产节奏。

三星、SK 海力士押注 HBM，内存扩产聚焦高端

在内存领域，三星和 SK 海力士同步加码，但两家公司均将扩产重心转向 HBM，而非传统 DRAM。据 TrendForce 预测，三星 2026 年资本支出将同比小幅增长约 3.7%；SK 海力士的增幅则更为显著，预计达 24%。

韩国媒体 EBN 报道，三星计划 2026 年将 DRAM 产出提升约 20%，扩产将集中在平泽 P4 工厂，但新增产能将主要用于支持 10 纳米第六代（1C）DRAM，以满足 HBM4 的生产需求。

SK 海力士方面，EBN 报道称，该公司已完成清州 M15X 工厂的扩产准备，相当大比例的新增产能同样将划拨至 HBM 生产线。

据 The Elec 今年 1 月末报道，SK 海力士已上调 1C DRAM 的扩产计划，业内消息人士估计，该公司到 2027 年第一季度末月产量有望达到 17 万至 20 万片，几乎是原定目标 9 万片的两倍。

在 NAND 领域，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）组成的联盟展现出更为激进的扩张姿态。据 TrendForce 预测，该合资阵营 2026 年资本支出涨幅可能高达 40%，显示双方正大力推进 NAND 产能扩张。

二线内存厂商跟进，行业景气回暖信号增强

值得关注的是，本轮资本开支的扩张并不局限于头部企业，中国台湾二线内存厂商亦纷纷跟进，释放出行业景气触底回升的明确信号。

据日经新闻报道，以 NOR 闪存及特殊定制 DRAM 见长的华邦电子计划 2026 年投入 421 亿新台币，约为去年支出规模的八倍。该公司同时预计，2026 年第一季度产品平均售价将上涨逾 30%。

全球第五大 DRAM 制造商南亚科技的动作同样引人注目。据科技媒体 TechNews 报道，南亚科技公布的 2026 年资本支出预算高达 500 亿新台币，创历史新高，新建厂房预计于 2028 年上半年达到月产 2 万片晶圆的目标产能。

二线厂商的集中加码，进一步印证市场对内存周期向上的乐观判断，也为相关设备及材料供应商带来更广泛的订单增量预期。