编译 | 刘煜

编辑 | 陈骏达

芯东西 4 月 23 日消息，今天，据彭 · 博社报道，在 2026 北美技术论坛上，台积电联席副首席运营官Kevin Zhang（张晓强）称，在 2029 年以前，台积电不会采购ASML新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）。消息一出，当天 ASML 美股短时下跌，盘中最大跌幅超 4%，截止最后收盘下跌 1.05%。

该款光刻机是支撑1.4nm 及以下先进制程的核心装备，分辨率与制程能力显著优于上一代，但此类设备单价逾 3.5 亿欧元（约合人民币 27.98 亿元），接近主流低数值孔径紫外光刻机（Low ‑ NA EUV）设备的 1.8 倍。

现阶段，AI 与先进制程需求虽旺，但 High ‑ NA 对应的 1.4nm 及以下节点尚未大规模爆发，大规模采购难快速回本。

据美国媒体《EE Times》报道，张晓强称：" 我必须说，我对我们的研发团队感到惊叹。他们持续找到不依赖 High-NA EUV 就能实现工艺微缩的方法。或许未来某一天我们不得不使用它，但就目前而言，我们仍能从现有 EUV 中挖掘收益，不必转向 High-NA EUV ——毕竟它极其昂贵。"

台积电计划投产的 A13 和 A12 均无需使用 High-NA EUV 光刻设备，该公司将继续使用 ASML 的 Low ‑ NA EUV 设备以及工艺优化，实现其规划的 2029 年的稳定量产路线。

张晓强说道：" 去年我们发布了基于最先进的第二代纳米片技术的 A14 制程，计划于 2028 年投产。今年，我们将发布 A14 的衍生版，包括 A13 和 A12，均计划于 2029 年投产。"

今年 1 月下旬，在 2025 年第四季度及全年财报发布会上，ASML 称，预计 2026 年的增长主要由EUV 设备销量的大幅提升，以及存量设备相关业务收入的增长所驱动。

同时，该公司预计其 2030 年的潜在市场规模（营收机会）将达到 440 亿欧元（约合人民币 3517.58 亿元）至 600 亿欧元（约合人民币 4796.88 亿元），毛利率将在 56% 至 60% 之间。

ASML 称，其正与客户共同推进 High-NA EUV 平台的成熟化，确保按计划在 2026 年底前满足大规模量产（HVM）条件，并于 2027 至 2028 年在客户产线正式投入应用。

而据彭 · 博社供应链数据显示，台积电是 ASML 的最大客户。台积电此次宣布，2029 年前将不采购能为 ASML 贡献高营收的 High-NA EUV 设备，无疑会对 ASML 的营收增长造成一定影响。

此外，全球光刻设备市场的格局转变或早有预兆。4 月中旬，ASML 发布的最新财报显示，中国台湾地区在其设备净销售额中的占比降至 23%；中国大陆市场占比从去年四季度的逾三分之一回落至 19%。

而韩国市场由于其存储厂商的大规模的设备采购需求，成为 ASML 现阶段全球第一大营收来源地。

结语：台积电暂缓高阶光刻设备，或重塑下一代光刻商业化节奏

综合来看，台积电基于成本、投资回报与现有工艺迭代节奏，明确推迟 High-NA EUV 的导入节奏。依托成熟 Low-NA EUV 叠加工艺优化，台积电或得以在 2029 年前维持先进制程稳步迭代。

此次供需双方预期错配，不仅给 ASML 长期增长目标增添不确定性，也意味着未来数年，全球部分尖端芯片制造或将进入无 High-NA EUV 加持的过渡发展阶段。

不过，今年 3 月下旬，SK 海力士已经与 ASML 签订 EUV 光刻设备采购协议，该协议有效期至 2027 年，采购规模达到 11.95 万亿韩元（约合人民币 553.7 亿元）。

在这一背景下，三星等厂商之后的设备采购动向以及其先进制程的释放节奏，将成为后续影响 High-NA EUV 的商业化进程，以及全球半导体产业链格局走向的重要变量。