快科技 6 月 18 日消息，SK 海力士宣布，已向主要客户交付新一代 AI 专用 DRAM —— HBM4E 的 12 层堆叠样品。

SK 海力士表示：" 凭借长期积累的 HBM 先导研发能力与量产经验，我们成功向客户提供了 12 层 HBM4E 样品。接下来将与核心客户紧密合作，全力确保按计划实现量产。"

相较上一代 HBM4，HBM4E 在性能与能效方面实现了跨越式升级。其引脚速率最高达 16 Gbps，能效提升超过 20%，显著增强了 AI 训练与推理所需的数据处理能力。

同时，通过新一代接口设计与架构优化，HBM4E 有效降低了数据传输延迟，即使在极高带宽环境下也能保持稳定运行，有望进一步提升下一代 AI 数据中心及大规模计算系统的整体效率。

在制造工艺上，HBM4E 采用先进的 MR-MUF（批量回流模塑底部填充）技术，在 12 层堆叠下实现 48GB 容量，同时进一步优化了结构稳定性。与 HBM4 相比，其热阻降低约 17%，确保在高性能计算环境中依然能够可靠运行。

消息公布后，SK 海力士股价周四在韩国股市上涨 4.17%，同期竞争对手三星电子微涨 0.87%。年初至今，SK 海力士股价累计涨幅已达 287%，凸显市场对其在 AI 存储器领域持续创新的高度认可。

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责任编辑：鹿角