据 TrendForce 报道，SK 海力士计划于 2026 年下半年重启此前搁置的大连工厂二期扩建项目，新增 V8（238 层）NAND 产线。该项目此前因 NAND 市场低迷和美国出口管制而暂停，重启标志着公司将 NAND 价格的历史性复苏转化为实际产能布局。

根据 News Tomato 的报道，SK 海力士将在今年下半年开始向大连二期工厂安装生产设备，分阶段在 2027 年上半年完成设施建设。国内合作伙伴已开始将闲置 NAND 设备转移至大连，海外供应商据称已收到设备交付的初步采购订单。

Sisa Journal 进一步披露了产能细节：大连二期将新增一条 V8 产线（238 层），月产能目标为 3 万至 5 万片晶圆。大连一期工厂则正在将产线深度转换至 192 层 NAND，并更换老化设备。

搁置背后的转折：从出口管制到年度审批

大连二期扩建此前陷入停滞，直接原因来自两方面：一是美国对华半导体设备出口管制的不确定性，二是 NAND 市场的持续低迷。

在管制层面，一个关键变量已经发生变化。根据 News Tomato 的报道，美国已将原有的 " 经验证最终用户 "（VEU）制度调整为对设备运输实行年度审批流程，设备供应的不确定性随之缓解，为 SK 海力士重启大连扩建提供了操作空间。

这一制度变化的时间节点值得关注。在这一背景下，市场正在观察 SK 海力士能否借助 DRAM 和 HBM 的繁荣，通过大连扩建进一步释放其以 11 万亿韩元（约合 80 亿美元）收购英特尔 NAND 业务的价值。报道指出，大连二期被视为 SK 海力士 NAND 生产基地中扩建速度最快的选址。

V8 产线落地的产业背景：NAND 价格创历史峰值

扩建重启的时机选择并非偶然。2026 年一季度，SK 海力士 NAND 平均售价环比上涨超过 70%，创下单季历史纪录。公司二季度指引进一步明确，NAND 出货量将 " 由跌转升 "、环比反弹。价格与出货量的双重改善，为重启此前被搁置的资本支出计划提供了决策基础。

韩国时报的数据显示，SK 海力士 2025 年对大连 NAND 制造子公司的投资已增至 4406 亿韩元，同比增长 52%——即便在二期扩建尚未正式重启之前，公司在 NAND 领域的投入已经开始加速。

在技术路线上，SK 海力士此前已完成 375 层 3D NAND 闪存的生产验证，计划在韩国清州 M15 工厂年底前量产。大连 V8（238 层）产线与之形成技术梯度，分别服务于不同的市场定位。

竞争升温：三星西安工厂同步提速

SK 海力士并非唯一在中国扩大 NAND 产能的存储巨头。Sisa Journal 的报道显示，三星电子也在加速推进其西安工厂的 NAND 升级。三星已于 3 月 30 日完成从 128 层 V6 到 236 层 V8 的生产线转换，目前正进入量产阶段。

投资数据印证了这一趋势。据 Sisa Journal 估算，三星 2025 年对西安 NAND 工厂的投资约为 3.04 亿美元，同比增长约 67.5%。韩国两大存储巨头在中国 NAND 产能上的同步扩张，意味着全球 NAND 供给端正从收缩周期进入扩张轨道。

从时间节点来看，三星西安 V8 量产已经启动，而 SK 海力士大连二期 V8 设备安装预计下半年才开始，两者在实际产能释放节奏上存在数个季度的时间差。