英特尔 14A（1.4 纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，创下 22 纳米以来最佳表现。CFO David Zinsner 在德意志银行 2026 年科技大会上称，" 自 22nm 以来从未见过这样的表现 "。

14A 计划 2027 年下半年风险量产，2028 年进入大规模量产。距投产尚有约两年，客户端已出现实质性变化：英特尔内部设计团队开始在 14A 上开发产品，外部代工客户从评估技术数据转向询问产能分配。

对标 22 纳米：好消息与三重限定

"14A 的缺陷密度优于我们设定的目标曲线，缺陷下降速度也优于此前任何节点。自 22 纳米以来，我们没见过这种表现——而 22 纳米可以说是英特尔推出过的最好制程之一。"Zinsner 在会上表示。

22 纳米是英特尔首个 FinFET 制程，推出时领先全行业——竞争对手直到 2014 至 2015 年的 14/16 纳米节点才跟进。Ivy Bridge 处理器 2012 年上市后大获成功，22 纳米为英特尔 CPU 产线服务至 2016 年，之后继续用于其他产品线。

但 Zinsner 的比较有严格边界。他对标的是 14A 在距量产约两年时的缺陷下降轨迹，与 22 纳米在约 2010 年同期阶段的表现，而非两代工艺绝对缺陷水平的直接比较。同时，16 年间晶圆检测设备的进步已改变了 " 缺陷 " 的计量口径，而缺陷密度本身也不直接等同于良率。

14A 的工艺复杂度让这组数据更有看头：第二代环栅（GAA）RibbonFET 晶体管、第二代背面供电 PowerDirect、High-NA EUV 光刻，技术难度远超 22 纳米。在这样的工艺组合下仍能快速压低缺陷密度，放在英特尔近年的制程记录中格外突出——此前，14 纳米因良率不足推迟一年，初代 10 纳米失败，20A 取消，18A 量产时缺陷仍偏高，Intel 4 和 Intel 3 几乎未公开过进展。

客户：从 " 看数据 " 到 " 要产能 "

Zinsner 透露，英特尔内部设计团队已在 14A 上开发产品。他称这群内部客户 " 大概是所有人里最挑剔的 "，" 他们选择在 14A 上设计产品，对我们也是很大的信心提振。"

外部代工客户的态度也在发生质变。据 Zinsner 介绍，CEO 陈立武和团队目前每周与客户会面，" 客户已从看数据，转向了 ' 我能拿到多少产能？供应节奏怎么安排？' 我们现在对 14A 的外部客户也有了确信（conviction）。"

14A 距大规模量产仍有约两年。英特尔方面表示，该节点有望像 22 纳米一样，成为一个长寿制程。